IRL3705ZLPBF, MOSFET MOSFT 55V 86A 8mOhm 40nC Log Lvl
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
750 руб.
от 10 шт. —
590 руб.
от 100 шт. —
486 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 750 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор MOSFT 55V 86A 8mOhm 40nC Log Lvl
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 86 A |
Pd - рассеивание мощности | 130 W |
Qg - заряд затвора | 60 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 12 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 55 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V, + 16 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.8 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Высота | 9.45 mm |
Длина | 10.2 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Торговая марка | Infineon / IR |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-262-3 |
Ширина | 4.5 mm |
Вес, г | 2.52 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 378 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов