IRF520SPBF

IRF520SPBF
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1711 шт. со склада г.Москва, срок 3-5 недель
250 руб.
от 10 шт.210 руб.
от 100 шт.179 руб.
от 250 шт.173.11 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 250 руб.
Номенклатурный номер: 8005513123
Производитель: Vishay Semiconductor Opto Division

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор N-Channel 100V

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 9.2 A
Pd - рассеивание мощности 3.7 W
Qg - заряд затвора 16 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 270 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 100 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2 V
Вид монтажа SMD/SMT
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 175 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 1000
Серия IRF
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Торговая марка Vishay Semiconductors
Упаковка Reel, Cut Tape
Упаковка / блок TO-263-3
Вес, г 1.438

Дополнительная информация

Datasheet IRF520SPBF

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах