IRF520SPBF, MOSFET N-Channel 100V

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

400 руб.

от 10 шт. — 310 руб.

от 100 шт. — 228 руб.

от 500 шт. — 180.28 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 400 руб.

Номенклатурный номер: 8005513123

Артикул: IRF520SPBF

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

МОП-транзистор N-Channel 100V

Id - непрерывный ток утечки	9.2 A
Pd - рассеивание мощности	3.7 W
Qg - заряд затвора	16 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	270 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	100 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	IRF
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Торговая марка	Vishay Semiconductors
Упаковка	Reel, Cut Tape
Упаковка / блок	TO-263-3
Вес, г	30

pdf, 184 КБ

Мы рекомендуем