Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Vishay › IRFBC40APBF, MOSFET 600V N-CH HEXFET

IRFBC40APBF, MOSFET 600V N-CH HEXFET

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

620 руб.

от 10 шт. — 360 руб.

от 100 шт. — 294 руб.

от 250 шт. — 272.36 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 620 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8005524558

Артикул: IRFBC40APBF

Бренд: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

МОП-транзистор N-Chan 600V 6.2 Amp

Технические параметры

Вид монтажа	Through Hole
Высота	15.49 mm
Длина	10.41 mm
Категория продукта	МОП-транзистор
Подкатегория	MOSFETs
Размер фабричной упаковки	50
Серия	IRFBC
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Торговая марка	Vishay / Siliconix
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
Ширина	4.7 mm
Крутизна характеристики S,А/В	3.4
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм	1200
Температура, С	-55…+150
Transistor Polarity	N Channel; Continuous Drain Current Id
Время	задержки включения/выключения-31/13 нс
Диапазон рабочих температур	-55…+150 °С
Емкость, пФ	1036
Заряд затвора, нКл	42
Максимально допустимое напряжение	затвор-исток(Vgs)±30 В
Максимальное напряжение сток-исток, В	600
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А	6.2
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм	1.2
Мощность	рассеиваемая(Pd)-125 Вт
Напряжение	пороговое затвора(Vgs th)-4В
Описание	MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB
Способ монтажа	Through Hole
Тип	MOSFET
Тип проводимости	N
Вес, г	15