IRF3805STRLPBF, MOSFET MOSFT 55V 220A 3.3mOhm 190nC

IRF3805STRLPBF, MOSFET MOSFT 55V 220A 3.3mOhm 190nC
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 360 руб.
от 10 шт.1 060 руб.
от 25 шт.993 руб.
от 100 шт.772.23 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 360 руб.
Номенклатурный номер: 8005530015
Артикул: IRF3805STRLPBF

Описание

The Infineon HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area.

Технические параметры

Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 210 A
Maximum Drain Source Resistance 3.3 mO
Maximum Drain Source Voltage 55 V
Maximum Gate Threshold Voltage 4V
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type D2PAK(TO-263)
Pin Count 3
Вес, г 4

Техническая документация

Datasheet
pdf, 389 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов