MMBF170Q-7-F, MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60Vdss 60Vdgr
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
110 руб.
от 10 шт. —
73 руб.
от 100 шт. —
29 руб.
от 1000 шт. —
18.37 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 110 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Automotive ApplicationsDiodes Inc. Automotive Parts have a wide portfolio of automotive-compliant analog, discrete and timing products. The Automotive Parts offer a broad range of solutions for various automotive applications, including BLDC, Adaptive LED Lighting, and Connected Driving.
Технические параметры
Brand: | Diodes Incorporated |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Forward Transconductance - Min: | 80 mS |
Id - Continuous Drain Current: | 500 mA |
Manufacturer: | Diodes Incorporated |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | SOT-23-3 |
Pd - Power Dissipation: | 300 mW |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qualification: | AEC-Q101 |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 5 Ohms |
Series: | MMBF170 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 10 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 800 mV |
Вес, г | 8 |
Техническая документация
Datasheet MMBF170Q-7-F
pdf, 207 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов