PN2907ATFR, Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose
90 руб.
от 10 шт. —
60 руб.
от 100 шт. —
26 руб.
от 1000 шт. —
17.63 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 90 руб.
Описание
60V 625mW 100@150mA,10V 800mA PNP TO-92-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
Collector Current (Ic) | 800mA |
Collector Cut-Off Current (Icbo) | 20nA |
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 60V |
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 1.6V@50mA, 500mA |
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@150mA, 10V |
Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 625mW |
Transistor Type | PNP |
Transition Frequency (fT) | 200MHz |
Вес, г | 1 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов