IRLZ24PBF-BE3, MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET
460 руб.
от 10 шт. —
350 руб.
от 100 шт. —
258 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 460 руб.
Описание
N-канал 60V 17A (Tc) 60W (Tc) сквозное отверстие TO-220AB
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 17A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 5V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 870pF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 10A, 5V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250ВµA |
| Вес, г | 10 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1820 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
