IRF9530NPBF, Транзистор, P-канал 100В 14А [TO-220AB]

Фото 1/8 IRF9530NPBF, Транзистор, P-канал 100В 14А [TO-220AB]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
150 руб.
от 15 шт.117 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 150 руб.
Номенклатурный номер: 416163342
Артикул: IRF9530NPBF

Описание

Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge.

Технические параметры

Структура P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 14
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.2 Ом/8.4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 79
Крутизна характеристики, S 3.2
Корпус TO-220AB
Пороговое напряжение на затворе -4
Вес, г 2.5

Техническая документация

Datasheet
pdf, 225 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 231 КБ
Datasheet IRF9530NPBF
pdf, 234 КБ
Datasheet IRF9530N
pdf, 118 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов