AUIRFR024NTRL, N-Channel MOSFET, 12 A, 75 V, 3-Pin DPAK AUIRFR024NTRL
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
280 руб.
Кратность заказа 3000 шт.
Добавить в корзину 3000 шт.
на сумму 840 000 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The Infineon AUIRFR024NTRL Specifically designed for Automotive applications, this Cellular design of HEXFET® Power MOSFETs utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 12 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 75 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Pin Count | 3 |
| Id - непрерывный ток утечки: | 17 A |
| Pd - рассеивание мощности: | 45 W |
| Qg - заряд затвора: | 20 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток: | 75 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток: | 55 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : | 4 V |
| Вид монтажа: | SMD/SMT |
| Время нарастания: | 34 ns |
| Время спада: | 27 ns |
| Высота: | 2.3 mm |
| Длина: | 6.5 mm |
| Канальный режим: | Enhancement |
| Категория продукта: | МОП-транзистор |
| Квалификация: | AEC-Q101 |
| Количество каналов: | 1 Channel |
| Конфигурация: | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: | 4.5 S |
| Максимальная рабочая температура: | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура: | - 55 C |
| Подкатегория: | MOSFETs |
| Полярность транзистора: | N-Channel |
| Производитель: | Infineon |
| Размер фабричной упаковки: | 3000 |
| Технология: | Si |
| Тип продукта: | MOSFET |
| Тип транзистора: | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения: | 19 ns |
| Типичное время задержки при включении: | 4.9 ns |
| Торговая марка: | Infineon / IR |
| Упаковка / блок: | TO-252-3 |
| Ширина: | 6.22 mm |
| Drain Source On State Resistance | 0.075Ом |
| Power Dissipation | 45Вт |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | HEXFET |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 55В |
| Непрерывный Ток Стока | 17А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 423 КБ
Datasheet AUIRFR024NTRL
pdf, 472 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
