PXN010-30QLJ
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
11803 шт., срок 7-9 недель
160 руб.
от 10 шт. —
130 руб.
от 25 шт. —
112 руб.
от 100 шт. —
86.33 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 160 руб.
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8008671809
Бренд: Nexperia B.V.
Описание
The Nexperia N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in an MLPAK33 (SOT8002) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 10.3 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Type | MLPAK33 |
| Pin Count | 8 |
| Drain Source On State Resistance | 0.0087Ом |
| Power Dissipation | 1.7Вт |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | Trench |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Непрерывный Ток Стока | 10.3А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.7В |
| Рассеиваемая Мощность | 1.7Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0087Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | MLPAK33 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Техническая документация
Datasheet PXN010-30QLJ
pdf, 320 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
