BSO201SPHXUMA1
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
640 руб.
от 10 шт. —
480 руб.
от 100 шт. —
343 руб.
от 500 шт. —
266.16 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 640 руб.
Номенклатурный номер: 8008680647
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд / Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Fall Time: | 162 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 40 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 14.9 A |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | SOIC-8 |
| Packaging: | Reel, Cut Tape, MouseReel |
| Part # Aliases: | BSO201SP H SP000613828 |
| Pd - Power Dissipation: | 2.5 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 66 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 10.3 mOhms |
| Rise Time: | 99 ns |
| Series: | BSO201 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 99 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 21 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 900 mV |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 312 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
