IRFH5010TRPBF, Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET, 100В, 13А, 250Вт, PQFN5X6
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
440 руб.
от 10 шт. —
300 руб.
от 30 шт. —
251 руб.
от 100 шт. —
210.29 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 440 руб.
Описание
Описание Транзистор полевой IRFH5010TRPBF от производителя INFINEON выделяется своими высокими характеристиками и надежностью. С монтажом типа SMD, данный N-MOSFET транзистор обеспечивает ток стока до 13 А и напряжение сток-исток на уровне 100 В. С мощностью в 250 Вт, он идеально подходит для широкого спектра электронных применений. Компактный корпус PQFN5X6 облегчает интеграцию в печатные платы. Продукт IRFH5010TRPBF – оптимальный выбор для разработчиков, ищущих высокопроизводительные компоненты для своих проектов. Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 13 |
| Напряжение сток-исток, В | 100 |
| Мощность, Вт | 250 |
| Корпус | PQFN5X6 |
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 13A;100A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 9mΩ@50A, 10V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V@150uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 4.34nF@25V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 3.6W;250W |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 98nC@10V |
| Type | null |
| Вес, г | 0.221 |
Техническая документация
Datasheet IRFH5010TRPBF
pdf, 254 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
