IRF3805STRLPBF, Trans MOSFET N-CH Si 55V 210A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

510 руб.

Кратность заказа 800 шт.

от 1600 шт. — 450 руб.

Добавить в корзину 800 шт. на сумму 408 000 руб.

Номенклатурный номер: 8021374657

Артикул: IRF3805STRLPBF

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET

The Infineon HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area.

Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	210 A
Maximum Drain Source Resistance	3.3 mO
Maximum Drain Source Voltage	55 V
Maximum Gate Threshold Voltage	4V
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	D2PAK(TO-263)
Pin Count	3
Вес, кг	176

pdf, 389 КБ

Мы рекомендуем