IPU80R1K4P7, Транзистор полевой N-канальный 800В 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 туба
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
83 руб.
Мин. кол-во для заказа 6 шт.
от 18 шт. —
73 руб.
от 36 шт. —
69 руб.
от 75 шт. —
66 руб.
Добавить в корзину 6 шт.
на сумму 498 руб.
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 800В 4A 3-Pin(3+Tab) TO-251 туба
Технические параметры
Корпус | TO-251 | |
Case | IPAK | |
Drain current | 2.7A | |
Drain-source voltage | 800V | |
Features of semiconductor devices | ESD protected gate | |
Gate charge | 10nC | |
Gate-source voltage | ±20V | |
Kind of channel | enhanced | |
Kind of package | tube | |
Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES | |
Mounting | THT | |
On-state resistance | 1.4Ω | |
Polarisation | unipolar | |
Power dissipation | 32W | |
Technology | CoolMOS™ P7 | |
Type of transistor | N-MOSFET | |
Вес, г | 0.75 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1228 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов