IRF840STRLPBF
40 шт., срок 7-9 недель
100 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт. —
79 руб.
от 30 шт. —
68 руб.
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 400 руб.
Описание
TO-263-2 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 8A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 850mΩ@10V, 4.8A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.3nF@25V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 3.1W;125W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 63nC@10V |
| Type | N Channel |
| Вес, г | 9 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
