PTY10HN08, TO-263 MOSFETs
1000 шт., срок 6 недель
95 руб.
от 10 шт. —
73 руб.
от 30 шт. —
57 руб.
от 100 шт. —
50.91 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 95 руб.
Описание
TO-263-3 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | - |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | - |
| Drain Source Voltage (Vdss) | - |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | - |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | - |
| Power Dissipation (Pd) | - |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | - |
| Type | - |
| Вес, г | 1.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 3628 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![2SK2232-VB, Транзистор N-MOSFET 60В 45А 52Вт [TO-220F]](https://static.chipdip.ru/lib/412/DOC005412891.jpg)
![AO3407A, Транзистор P-MOSFET 30В 4.3A [SOT-23-3]](https://static.chipdip.ru/lib/255/DOC005255374.jpg)
![AOT8N50, Транзистор N-MOSFET 500В 8А [TO-220]](https://static.chipdip.ru/lib/413/DOC005413065.jpg)
![AP4511GM, Транзистор, N+ P-канал, 35В, 7/-6.1A, 25/40мОм [SO-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304626.jpg)
