Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Infineon › IRLR3110ZTRPBF, Транзистор HEXFET, N-канал ...

IRLR3110ZTRPBF, Транзистор HEXFET, N-канал, 100В, 63А [D-PAK]

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

320 руб.

от 15 шт. — 291 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 320 руб.

Номенклатурный номер: 9000539514

Артикул: IRLR3110ZTRPBF

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

SP001574010

• HEXFET® power MOSFET specifically designed for Industrial applications
• Advanced process technology
• Ultra-low on-resistance
• 175°C operating temperature
• Fast switching
• Repetitive avalanche allowed up to Tjmax

Технические параметры

Структура	N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	63
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±16
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.014 Ом/38А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	140
Крутизна характеристики, S	52
Корпус	DPAK(2 Leads+Tab)
Вес, г	0.4