SK02N06E, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 1.8А 2Вт
12105 шт. со склада г.Москва, срок 9-11 дней
14 руб.
Мин. кол-во для заказа 34 шт.
от 104 шт. —
12 руб.
от 208 шт. —
11 руб.
от 416 шт. —
9.60 руб.
Добавить в корзину 34 шт.
на сумму 476 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 1.8А 2Вт
Технические параметры
| Корпус | SOT-223 | |
| Continuous Drain Current (Id) | 2.2A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 86mΩ@10V, 0.5A | |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 60V@250uA | |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | - | |
| Operating Temperature | - | |
| Power Dissipation (Pd) | - | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - | |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | - | |
| Type | null | |
| Вес, г | 0.35 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 671 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![1N60G, Транзистор N-MOSFET 600В 1А [SOT-223]](https://static.chipdip.ru/lib/288/DOC005288115.jpg)
![1N60L, Транзистор N-MOSFET 600В 1А [TO-252]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294471.jpg)
