2N7002BKW,115, Транзистор полевой N-канальный 60В 310мА, 0.88Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2867 шт. со склада г.Москва, срок 10 дней
32 руб.
Мин. кол-во для заказа 15 шт.
от 46 шт. —
27 руб.
от 91 шт. —
25 руб.
от 181 шт. —
24 руб.
Добавить в корзину 15 шт.
на сумму 480 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 60В 310мА, 0.88Вт
Технические параметры
Корпус | SOT-323(SC-70) | |
Brand | Nexperia | |
Channel Mode | Enhancement | |
Configuration | Single | |
Factory Pack Quantity | 3000 | |
Fall Time | 7 ns | |
Id - Continuous Drain Current | 310 mA | |
Manufacturer | Nexperia | |
Maximum Operating Temperature | +150 C | |
Minimum Operating Temperature | -55 C | |
Mounting Style | SMD/SMT | |
Number Of Channels | 1 Channel | |
Package / Case | SOT-323-3 | |
Packaging | Cut Tape or Reel | |
Pd - Power Dissipation | 330 mW(1/3 W) | |
Product | MOSFET Small Signal | |
Product Category | MOSFET | |
Product Type | MOSFET | |
Qg - Gate Charge | 0.5 nC | |
Qualification | AEC-Q101 | |
Rds On - Drain-Source Resistance | 1.6 Ohms | |
Rise Time | 6 ns | |
Subcategory | MOSFETs | |
Technology | Si | |
Transistor Polarity | N-Channel | |
Transistor Type | 1 N-Channel Trench MOSFET | |
Type | Enhancement | |
Typical Turn-Off Delay Time | 12 ns | |
Typical Turn-On Delay Time | 5 ns | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V | |
Vgs - Gate-Source Voltage | 10 V | |
Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.1 V | |
Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet 2N7002BKW.115
pdf, 709 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.