STF21N65M5, Транзистор полевой N-канальный 650В 17А 30Вт

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

55 шт. со склада г.Москва, срок 10 дней

340 руб.

Мин. кол-во для заказа 2 шт.

от 9 шт. — 290 руб.

от 17 шт. — 271 руб.

от 33 шт. — 260 руб.

Добавить в корзину 2 шт. на сумму 680 руб.

Альтернативные предложения3

Номенклатурный номер: 8107958658

Артикул: STF21N65M5

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

Транзистор полевой N-канальный 650В 17А 30Вт

Корпус	TO-220F
Brand:	STMicroelectronics
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	1000
Id - Continuous Drain Current:	17 A
Manufacturer:	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	Through Hole
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	TO-220-3
Packaging:	Tube
Pd - Power Dissipation:	30 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	50 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	150 mOhms
REACH - SVHC:	Details
Series:	Mdmesh M5
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Tradename:	MDmesh
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	650 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-25 V, +25 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	3 V
Brand	STMicroelectronics
Factory Pack Quantity	1000
Id - Continuous Drain Current	17 A
Manufacturer	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	Through Hole
Number of Channels	1 Channel
Package / Case	TO-220-3
Packaging	Tube
Pd - Power Dissipation	30 W
Product Category	MOSFET
Qg - Gate Charge	50 nC
Rds On - Drain-Source Resistance	150 mOhms
RoHS	Details
Series	MDmesh M5
Technology	Si
Transistor Polarity	N-Channel
Transistor Type	1 N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	650 V
Vgs - Gate-Source Voltage	25 V
Вес, г	3.5