STF21N65M5

PartNumber: STF21N65M5
Ном. номер: 8107958658
Производитель: ST Microelectronics
Фото 1/3 STF21N65M5
Фото 2/3 STF21N65M5Фото 3/3 STF21N65M5
Доступно на заказ 598 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 5 дней.
280 руб. × = 560 руб.
Минимальное количество для заказа 2 шт.
от 50 шт. — 140 руб.
от 200 шт. — 116.04 руб.

Описание

The STF21N65M5 is a MDmesh™ V N-channel Power MOSFET offers excellent switching performance. This MDmesh™ V Power MOSFET based on an innovative proprietary vertical process technology, which is combined with STMicroelectronics' well-known PowerMESH™ horizontal layout structure. The resulting product has extremely low ON-resistance, which is unmatched among silicon based Power MOSFET, making it especially suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency.

• Higher VDSS rating
• High dV/dt capability
• 100% Avalanche tested

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Корпус: TO-220F, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 17 А

Технические параметры

Категория
Мощный МОП-транзистор
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Размеры
10.4 x 4.6 x 16.4мм
Максимальный непрерывный ток стока
17 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.179 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Максимальное напряжение затвор-исток
±25 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
30 W
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
TO-220FP
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
50 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
1950 пФ при 10 В
Ширина
4.6mm
Материал транзистора
Si
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Высота
16.4mm
Длина
10.4mm
Тип монтажа
Through Hole

Дополнительная информация

Datasheet STF21N65M5
N-channel 650 V, 0.150 Ohm, 17 A MDmesh(TM) V Power MOSFET in D2PAK