STW77N65M5, Транзистор полевой N-канальный 650В 69А 400Вт

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

6 шт. со склада г.Москва, срок 3 недели

2 090 руб.

от 2 шт. — 1 960 руб.

от 3 шт. — 1 880 руб.

от 6 шт. — 1 780 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 090 руб.

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8120793122

Артикул: STW77N65M5

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

Транзистор полевой N-канальный 650В 69А 400Вт

Корпус	TO-247
Brand:	STMicroelectronics
Channel Mode:	Enhancement
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	600
Id - Continuous Drain Current:	69 A
Manufacturer:	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature:	+125 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	Through Hole
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	TO-247-3
Packaging:	Tube
Pd - Power Dissipation:	400 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	200 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	30 mOhms
Series:	Mdmesh M5
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Tradename:	MDmesh
Transistor Polarity:	N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	650 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-25 V, +25 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	4 V
Brand	STMicroelectronics
Factory Pack Quantity	600
Id - Continuous Drain Current	69 A
Manufacturer	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature	+125 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	Through Hole
Package / Case	TO-247-3
Packaging	Tube
Pd - Power Dissipation	400 W
Product Category	MOSFET
Qg - Gate Charge	200 nC
Rds On - Drain-Source Resistance	30 mOhms
RoHS	Details
Series	MDmesh M5
Technology	Si
Transistor Polarity	N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	650 V
Vgs - Gate-Source Voltage	25 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	4 V
Вес, г	8.5