IRFZ44ESTRLPBF, Транзистор полевой N-канальный 60В 48А 110Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
190 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 33 шт. —
150 руб.
от 65 шт. —
140 руб.
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 570 руб.
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 60В 48А 110Вт
Технические параметры
Корпус | D2Pak(TO-263) | |
Id - непрерывный ток утечки | 48 A | |
Pd - рассеивание мощности | 110 W | |
Qg - заряд затвора | 40 nC | |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 23 mOhms | |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V | |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V | |
Вид монтажа | SMD/SMT | |
Высота | 2.3 mm | |
Длина | 6.5 mm | |
Другие названия товара № | SP001576296 | |
Категория продукта | МОП-транзистор | |
Количество каналов | 1 Channel | |
Конфигурация | Single | |
Подкатегория | MOSFETs | |
Полярность транзистора | N-Channel | |
Размер фабричной упаковки | 800 | |
Технология | Si | |
Тип продукта | MOSFET | |
Тип транзистора | 1 N-Channel | |
Торговая марка | Infineon Technologies | |
Упаковка / блок | TO-252-3 | |
Ширина | 6.22 mm | |
Channel Mode | Enhancement | |
Channel Type | N | |
Maximum Continuous Drain Current | 48 A | |
Maximum Drain Source Resistance | 0.023 Ω | |
Maximum Drain Source Voltage | 60 V | |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4V | |
Mounting Type | Surface Mount | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Package Type | D2PAK(TO-263) | |
Pin Count | 3 | |
Series | HEXFET | |
Transistor Material | Si | |
Вес, г | 1.8 |
Техническая документация
Datasheet IRFZ44ESTRLPBF
pdf, 234 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов