IRFBC30APBF, транзистор N канал 600В 3.6А TO220AB
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
95 руб.
Кратность заказа 3 шт.
от 45 шт. —
58 руб.
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 285 руб.
Описание
транзисторы полевые импортные
Описание Транзистор MOSFET TO220
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.6 | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 74 | |
Корпус | to220ab | |
Крутизна характеристики S,А/В | 2.1 | |
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 4.5 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 2200 | |
Температура, С | -55…+150 | |
Id - непрерывный ток утечки | 3.6 A | |
Pd - рассеивание мощности | 74 W | |
Qg - заряд затвора | 23 nC | |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.2 Ohms | |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V | |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V | |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V | |
Вид монтажа | Through Hole | |
Высота | 15.49 mm | |
Длина | 10.41 mm | |
Канальный режим | Enhancement | |
Категория продукта | МОП-транзистор | |
Количество каналов | 1 Channel | |
Конфигурация | Single | |
Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
Минимальная рабочая температура | 55 C | |
Подкатегория | MOSFETs | |
Полярность транзистора | N-Channel | |
Размер фабричной упаковки | 1000 | |
Серия | IRFBC | |
Технология | Si | |
Тип продукта | MOSFET | |
Торговая марка | Vishay Semiconductors | |
Упаковка | Tube | |
Упаковка / блок | TO-220-3 | |
Ширина | 4.7 mm | |
Base Product Number | IRFBC30 -> | |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 3.6A (Tc) | |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V | |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
ECCN | EAR99 | |
FET Type | N-Channel | |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V | |
HTSUS | 8541.29.0095 | |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 510pF @ 25V | |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | |
Mounting Type | Through Hole | |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) | |
Other Related Documents | http://www.vishay.com/docs/88869/packaging.pdf | |
Package | Tube | |
Package / Case | TO-220-3 | |
Power Dissipation (Max) | 74W (Tc) | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2Ohm @ 2.2A, 10V | |
RoHS Status | ROHS3 Compliant | |
Supplier Device Package | TO-220AB | |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | |
Vgs (Max) | В±30V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250ВµA | |
FET Feature | - | |
Manufacturer | Vishay Siliconix | |
Packaging | Tube | |
Part Status | Active | |
Series | - | |
Вес, г | 3.5 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов