Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs), стр.17

_{более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

STGWA50IH65DF, БТИЗ транзистор, 100 А, 1.5 В, 300 Вт, 650 В, TO-247, 3 вывод(-ов) 7-9 недель, 548 шт. Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	7-9 недель, 548 шт.	910 руб. ×	от 10 шт. — 780 руб. от 100 шт. — 617 руб.
STGWA50M65DF2, IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 50 A low loss 6-8 недель, 566 шт. Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	6-8 недель, 566 шт.	1 580 руб. ×	от 10 шт. — 1 230 руб. от 25 шт. — 1 120 руб. от 100 шт. — 894.52 руб.
STGWA60H65DFB, IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed 6-8 недель, 527 шт. Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	6-8 недель, 527 шт.	1 440 руб. ×	от 25 шт. — 1 020 руб. от 100 шт. — 815 руб. от 250 шт. — 674.64 руб.
STGWA80H65FB, IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed 6-8 недель, 392 шт. Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	6-8 недель, 392 шт.	1 720 руб. ×	от 10 шт. — 1 420 руб. от 25 шт. — 1 300 руб. от 100 шт. — 1 036.95 руб.
STGWF30NC60S, IGBT Transistors 30A 600V Fast IGBT 5kHz 1.9 VCE 6-8 недель, 505 шт. Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	6-8 недель, 505 шт.	1 270 руб. ×	от 10 шт. — 990 руб. от 25 шт. — 684 руб. от 300 шт. — 504.82 руб.
STGWT20H65FB, IGBT Transistors Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB series IGBT 6-8 недель, 600 шт. Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	6-8 недель, 600 шт.	810 руб. ×	от 10 шт. — 610 руб. от 100 шт. — 445 руб. от 300 шт. — 374.80 руб.
STGWT30H60DFB, IGBT Transistors Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT 6-8 недель, 900 шт. Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	6-8 недель, 900 шт.	1 200 руб. ×	от 10 шт. — 1 070 руб. от 25 шт. — 853 руб. от 100 шт. — 682.14 руб.
STGWT30H65FB, Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 260W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube 5-7 недель, 518 шт. Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	5-7 недель, 518 шт.	390 руб. ×
STGWT30V60F, БТИЗ транзистор, 60 А, 1.85 В, 260 Вт, 600 В, TO-3P, 3 вывод(-ов) 7-9 недель, 176 шт. Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	7-9 недель, 176 шт.	720 руб. ×	от 10 шт. — 620 руб. от 100 шт. — 513 руб.
STGWT40H65DFB, БТИЗ транзистор, 80 А, 1.6 В, 283 Вт, 650 В, TO-3P, 3 вывод(-ов) 7-9 недель, 284 шт. Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	7-9 недель, 284 шт.	1 040 руб. ×	от 10 шт. — 890 руб. от 100 шт. — 702 руб.
STGWT40H65FB, Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 283W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube 5-7 недель, 505 шт. Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	5-7 недель, 505 шт.	320 руб. ×
STGWT40HP65FB, БТИЗ транзистор, 80 А, 1.6 В, 283 Вт, 650 В, TO-3P, 3 вывод(-ов) 7-9 недель, 1006 шт. Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	7-9 недель, 1006 шт.	800 руб. ×	от 10 шт. — 680 руб. от 100 шт. — 563 руб.
STGWT60H65DFB, БТИЗ транзистор, 80 А, 1.6 В, 375 Вт, 650 В, TO-3P, 3 вывод(-ов) 7-9 недель, 770 шт. Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	7-9 недель, 770 шт.	1 370 руб. ×	от 10 шт. — 1 140 руб. от 100 шт. — 928 руб.
STGWT60H65FB, IGBT Transistors 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGB 6-8 недель, 299 шт. Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	6-8 недель, 299 шт.	840 руб. ×	от 10 шт. — 790 руб. от 25 шт. — 636 руб. от 100 шт. — 569.70 руб.
STGWT60H65FB, Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375W 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube 5-7 недель, 270 шт. Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	5-7 недель, 270 шт.	400 руб. ×
STGWT80H65DFB, IGBT Transistors Trench gate H series 650V 80A HiSpd 6-8 недель, 271 шт. Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	6-8 недель, 271 шт.	1 840 руб. ×	от 10 шт. — 1 730 руб.
STGY40NC60VD, IGBT Transistors N Ch 600V 50A Max247 6-8 недель, 440 шт. Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	6-8 недель, 440 шт.	1 860 руб. ×	от 10 шт. — 1 730 руб. от 25 шт. — 1 400 руб. от 100 шт. — 1 121.90 руб.
STGYA120M65DF2, IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss 6-8 недель, 600 шт. Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	6-8 недель, 600 шт.	3 610 руб. ×	от 10 шт. — 3 040 руб. от 25 шт. — 2 380 руб. от 50 шт. — 2 366.23 руб.
STGYA120M65DF2AG, IGBT Transistors Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss 6-8 недель, 1188 шт. Бренд: ST Microelectronics	быстрый просмотр	6-8 недель, 1188 шт.	2 460 руб. ×	от 10 шт. — 2 060 руб. от 25 шт. — 1 930 руб. от 50 шт. — 1 921.47 руб.
VUB145-16NOXT, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-фазный диодный мост; Ic: 140А Бренд: Ixys	быстрый просмотр		30 600 руб. ×	от 3 шт. — 26 410 руб.
VUB72-12NOXT, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-фазный диодный мост; Ic: 40А Бренд: Ixys	быстрый просмотр		12 590 руб. ×	от 3 шт. — 10 700 руб. от 10 шт. — 9 510 руб. от 24 шт. — 8 357.69 руб.
AUIRGP50B60PD1, Auto IGBT 600В 75А 150кГц [TO-247AC] [EOL] Бренд: Infineon Технология/семейство: NPT Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 75 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 150 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.85 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 390 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 30 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 130 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247AC	быстрый просмотр		750 руб. ×	от 15 шт. — 741 руб.
GT30J322(Q), Транзистор, IGBT, 600В, 30А [2-16F1A] По запросу Бренд: Toshiba Технология/семейство: Gen 4 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 30 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 60 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 75 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: 2-16F1A	быстрый просмотр	По запросу	600 руб. ×
GT60N321 Formed Leads, Транзистор IGBT 1000V 60A [TO-3P/2-21F2C] По запросу Бренд: Toshiba	быстрый просмотр	По запросу	330 руб. ×
IGB50N60TATMA1 (G50T60), Транзистор IGBT 600V 100A 333W [TO-263-3] Бренд: Infineon Технология/семейство: TRENCHSTOP and Fieldstop Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 100 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 150 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 333 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 26 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 299 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+175 Корпус: PG-TO263-3	быстрый просмотр		630 руб. ×	от 5 шт. — 611 руб.
IRG4PC50UDPBF, IGBT 600В 55А 8-60кГц [TO-247AC] Бренд: IR Технология/семейство: Gen 4 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 55 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 220 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 200 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 46 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 140 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247AC	быстрый просмотр		720 руб. ×	от 15 шт. — 705 руб.
IRG4PH40UDPBF, 1200В 41А 40кГц [TO-247AC] Бренд: Infineon Технология/семейство: Gen 4 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 41 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 82 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 3.1 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 160 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 46 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 97 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247AC	быстрый просмотр		1 220 руб. ×
SGP23N60UFDTU, IGBT 600В 23А, [TO-220] Бренд: Fairchild Технология/семейство: UFD series Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 23 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 92 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.6 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 100 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 17 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 60 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: to-220	быстрый просмотр		240 руб. ×	от 15 шт. — 215 руб.
STGW38IH130D, Биполярный транзистор IGBT, 20 КГц, 33 А, 1300 В По запросу Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: PowerMESH Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1300 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 63 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 125 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.8 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 250 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 284 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	По запросу	230 руб. ×	от 15 шт. — 210 руб.
STGW60V60DF, Транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 375 Вт, [TO-247] По запросу Бренд: Китай Технология/семейство: Trench and Fieldstop Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 80 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 240 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.3 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 375 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 60 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 208 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	По запросу	600 руб. ×	от 15 шт. — 585 руб.
FGL60N100BNTD, Транзистор, IGBT, N-канальный, 60 А, 2.9 В, 180 Вт, 1 кВ, [TO-264-3] Бренд: Fairchild Технология/семейство: NPT Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1000 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 60 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.9 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 180 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 140 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 630 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-264	быстрый просмотр		1 010 руб. ×	от 15 шт. — 947 руб.
GT30J127 Formed Leads, Транзистор, IGBT, 600В, 30А [TO-220SIS] По запросу Бренд: Toshiba Технология/семейство: Gen 6 Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 200 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 25 Корпус: TO-220SIS	быстрый просмотр	По запросу	280 руб. ×
IRG4IBC20UD, IGBT 600В 11А TO220FP, транзистор Бренд: IR Технология/семейство: Gen 4 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 11.4 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 52 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.1 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 34 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 39 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 93 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-220FP	быстрый просмотр		99 руб. ×	от 50 шт. — 92 руб.
IRG4PH40UPBF, IGBT 1200В 20А 75кГц [ТО-247] Бренд: Infineon Технология/семейство: Gen 4 Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 41 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 82 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 3.1 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 160 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 24 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 220 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247AC	быстрый просмотр		290 руб. ×	от 15 шт. — 258 руб.
IRG4PSC71UDPBF, IGBT+di 600В 85А [Super247] Бренд: IR Технология/семейство: Gen 4 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 85 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 200 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 350 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 90 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 245 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: Super-247	быстрый просмотр		1 320 руб. ×	от 15 шт. — 1 290 руб.
IRG7PH42UDPBF, IGBT 1200В 85А [TO-247AC] Бренд: Infineon Технология/семейство: Trench Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 1200 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 85 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 90 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 320 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 25 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 229 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247AC	быстрый просмотр		1 380 руб. ×	от 15 шт. — 1 370 руб.
STGD18N40LZT4, Транзистор IGBT 400В 25А [D-PAK] Нет в наличии Бренд: ST Microelectronics Технология/семейство: PowerMESH, Internally Clamped Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 420 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 25 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 40 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.7 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 125 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 650 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 13500 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+175 Корпус: DPAK/TO-252AA	быстрый просмотр	Нет в наличии
IRG4IBC30UDPBF, 600В 17А 60кГц TO220FP Бренд: IR Технология/семейство: Gen 4 Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 17 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 68 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.1 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 45 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 40 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 91 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-220FP	быстрый просмотр		320 руб. ×
IRG7IC28UPBF, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 25 А, 40 Вт, [TO-220FP] Бренд: Infineon Технология/семейство: PDP Trench Наличие встроенного диода: Нет Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 25 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 225 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 1.7 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 40 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 30 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 260 Рабочая температура (Tj), °C: -40…+150 Корпус: TO-247 FULLPACK	быстрый просмотр		120 руб. ×	от 15 шт. — 110 руб.
IRGP35B60PDPBF, IGBT 600В 40А 150кГц Бренд: IR Технология/семейство: NPT Наличие встроенного диода: Да Максимальное напряжение КЭ ,В: 600 Максимальный ток КЭ при 25°C, A: 60 Импульсный ток коллектора (Icm), А: 120 Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2.25 Максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 308 Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс: 26 Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс: 110 Рабочая температура (Tj), °C: -55…+150 Корпус: TO-247AC	быстрый просмотр		360 руб. ×	от 25 шт. — 330 руб.