Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs)

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs), стр.3

_{205 из более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

STD20NF06L, Транзистор N-MOSFET 60В 30А [TO-252] 2129 шт. Бренд: UMW Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 30 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 25 мОм/15A, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 55 Корпус: dpak	быстрый просмотр	2129 шт.	30 руб. ×	от 50 шт. — 27 руб.
STD30NF06L, Транзистор N-MOSFET 60В 30А [TO-252] 2094 шт. Бренд: UMW Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 30 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 23 мОм/15A, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 55 Корпус: dpak	быстрый просмотр	2094 шт.	36 руб. ×	от 15 шт. — 32 руб.
STD35NF06L, Транзистор N-MOSFET 60В 35А [TO-252] 2068 шт. Бренд: UMW Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 35 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 12 мОм/30A, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 105 Корпус: dpak	быстрый просмотр	2068 шт.	40 руб. ×	от 50 шт. — 36 руб.
STD35P6LLF6, Транзистор P-MOSFET 60В 35A 70Вт [DPAK / TO-252] 2452 шт. Бренд: UMW Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 35 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 25 мОм/17.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 70 Корпус: dpak	быстрый просмотр	2452 шт.	57 руб. ×	от 100 шт. — 51 руб.
STN4438, Транзистор N-MOSFET 60В 8.2А [SOP-8] 1398 шт. Бренд: UMW Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 8.2 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 40 мОм/10A, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 3.1 Крутизна характеристики, S: 24 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	1398 шт.	17 руб. ×	от 100 шт. — 15 руб.
SUD50P06-15, Транзистор P-MOSFET 60В 50A 113Вт [DPAK / TO-252] 2263 шт. Бренд: UMW Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 50 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 12 мОм/17А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 113 Крутизна характеристики, S: 61 Корпус: dpak	быстрый просмотр	2263 шт.	57 руб. ×	от 100 шт. — 51 руб.
2N7000, Транзистор, N-канал, 60В, 0.2А [TO-92] 8029 шт. Бренд: JCET Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.2 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 5 ом при 0.5а, 10в Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.4 Корпус: TO-92	быстрый просмотр	8029 шт.	7 руб. ×	от 100 шт. — 5 руб.
2N7002, Транзистор N-MOSFET 60В 340мА 0.35Вт [SOT-23-3] 15219 шт. Бренд: YJ Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.34 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2.5 Ом/0.3А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.35 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр	15219 шт.	3 руб. ×	от 100 шт. — 2 руб.
2N7002, Транзистор, N-канал, 60В, 0.2А [SOT-23-3] 15943 шт. Бренд: JCET Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.12 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 7.5 Ом/0.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.35 Крутизна характеристики, S: 80 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр	15943 шт.	5 руб. ×	от 100 шт. — 4 руб.
2N7002,215, Транзистор, N-канал, 60В, 0.3А [SOT-23] 6564 шт. Бренд: Nexperia Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 5 Ом/0.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.83 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр	6564 шт.	22 руб. ×	от 100 шт. — 19 руб.
2N7002DW-TP, Транзистор MOSFET, 2N-канала, 60В, 0.115А [SOT-363] Бренд: MCC Структура: 2N-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.115 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 7.5 Ом/0.05А, 5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.2 Корпус: SOT-363	быстрый просмотр		71 руб. ×	от 100 шт. — 46 руб.
2N7002K, Транзистор N-MOSFET 60В 0.3А [SOT-23-3] (2N7002K-T1-GE3) 6981 шт. Бренд: Hottech Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2 Ом/0.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.35 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр	6981 шт.	11 руб. ×	от 100 шт. — 3.90 руб.
2N7002K-T1-GE3, Транзистор N-CH Si 60V 0.3A 3-Pin [SOT-23] Бренд: Vishay Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2 Ом/0.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.35 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр		14 руб. ×	от 100 шт. — 12 руб.
2N7002LT1G, Транзистор, N-канал, 60В, 0.2А [SOT-23-3] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.115 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 7.5 Ом/0.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.35 Крутизна характеристики, S: 80 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр		30 руб. ×	от 100 шт. — 9 руб.
2N7002-TP, Транзистор MOSFET N-канал 60В 0.115А [SOT-23] Бренд: MCC Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.115 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 7.5 Ом/0.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.2 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр		19 руб. ×	от 100 шт. — 16 руб.
2SK2232-VB, Транзистор N-MOSFET 60В 45А 52Вт [TO-220F] 472 шт. Бренд: VBsemi Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 45 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.027 Ом/18А/10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 52 Корпус: TO-220F	быстрый просмотр	472 шт.	88 руб. ×	от 100 шт. — 79 руб.
2SK2313, Транзистор N-MOSFET 60В 60А 150Вт [TO-3PN] 162 шт. Бренд: Inchange Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 60 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.011 Ом/30А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 150 Корпус: to-3pn	быстрый просмотр	162 шт.	260 руб. ×	от 100 шт. — 227 руб.
AO4828, Транзистор, 2 N-каннала, 60В, 4.5А, 0.056Ом [SO-8] Бренд: Alpha & Omega Структура: 2N-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.056 Ом/4.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 11 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		130 руб. ×	от 25 шт. — 104 руб.
BS170, Транзистор, N-канал, 60В, 0.5А [TO-92] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 5 Ом/0.2А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.83 Крутизна характеристики, S: 0.32 Корпус: TO-92	быстрый просмотр		24 руб. ×	от 100 шт. — 22 руб.
BSH201,215, Транзистор MOSFET P-CH 60В 0.3А [SOT-23] 1139 шт. Бренд: Nexperia Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2.5 Ом/0.16А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.417 Крутизна характеристики, S: 0.35 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр	1139 шт.	28 руб. ×	от 100 шт. — 22 руб.