Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs)

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)

_{30 из более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

IRFR024NTR, Транзистор N-MOSFET 55В 17А 45Вт [D-PAK] 9559 шт. Бренд: UMW Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 17 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 75 мОм/10A, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 45 Крутизна характеристики, S: 4.5 Корпус: dpak	быстрый просмотр	9559 шт.	28 руб. ×	от 100 шт. — 26 руб.
2SK2605, Транзистор, N-канал, высокоскоростной ключ [TO-220F] 37 шт. Бренд: Toshiba Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 800 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2.2 Ом/3А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 45 Крутизна характеристики, S: 3.8 Корпус: SC-67/2-10R1B	быстрый просмотр	37 шт.	330 руб. ×
2SK2717, Транзистор, N-канал [2-10R1B / TO-220F] 128 шт. Бренд: Toshiba Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2.5 Ом/3А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 45 Крутизна характеристики, S: 4.4 Корпус: SC-67/2-10R1B	быстрый просмотр	128 шт.	250 руб. ×
2SK2843(Q), Транзистор, N-канал [TO-220F] 51 шт. Бренд: Toshiba Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.75 Ом/5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 45 Корпус: SC-67/2-10R1B	быстрый просмотр	51 шт.	290 руб. ×
2SK3265, Транзистор, TT-MOSV, N-канал, 700В, 5А [SC-67 / 2-10R1B] 31 шт. Бренд: Toshiba Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 700 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1 ом при5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 45 Корпус: SC-67/2-10R1B	быстрый просмотр	31 шт.	140 руб. ×
2SK3565(STA4,Q,M), Транзистор, TT-MOSIV, N-канал, 900В, 5А [SC-67 / 2-10U1B] 128 шт. Бренд: Toshiba Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 900 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 2 Ом/3А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 45 Крутизна характеристики, S: 4.2 Корпус: SC-67/2-10U1B	быстрый просмотр	128 шт.	240 руб. ×
2SK3569, Транзистор, TT-MOSVI, N-канал, 600В, 10А [SC-67 / 2-10U1B] 119 шт. Бренд: Toshiba Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.75 Ом/5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 45 Крутизна характеристики, S: 8.5 Корпус: SC-67/2-10U1B	быстрый просмотр	119 шт.	440 руб. ×
IRF9Z24NPBF, Транзистор, P-канал 55В 12А [TO-220AB] Бренд: Infineon Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 12 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.175 Ом/7.2А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 45 Крутизна характеристики, S: 2.5 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		53 руб. ×	от 10 шт. — 49 руб.
IRFR024NTRPBF, Транзистор N-канал 55В 17А [D-PAK] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 17 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.075 Ом/10А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 45 Крутизна характеристики, S: 4.5 Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр		73 руб. ×	от 15 шт. — 60 руб.
IRFU024NPBF, Транзистор MOSFET N-канал 55В 17А [IPАK] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 17 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.075 Ом/10А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 45 Корпус: IPАK	быстрый просмотр		160 руб. ×	от 15 шт. — 150 руб.
IRFZ24NPBF, Транзистор, N-канал 55В 17А [TO-220AB] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 17 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.07 Ом/10А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 45 Крутизна характеристики, S: 4.5 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		98 руб. ×	от 15 шт. — 83 руб.
IRLR024NTRPBF, Транзистор HEXFET N-канал 55В 17А [D-PAK] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 17 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.065 ом при 10a, 10в Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 45 Крутизна характеристики, S: 8.3 Корпус: DPAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр		98 руб. ×	от 15 шт. — 83 руб.
IRLU024NPBF, Транзистор, N-канал 55В 17А logic [TO-251AA/I-PAK] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 17 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.065 Ом/10А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 45 Крутизна характеристики, S: 8.3 Корпус: IPAK	быстрый просмотр		98 руб. ×	от 15 шт. — 83 руб.
IRLZ24NPBF, Транзистор, N-канал 55В 18А [TO-220AB] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 18 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.06 Ом/11А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 45 Крутизна характеристики, S: 8.3 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		98 руб. ×	от 15 шт. — 77 руб.
STD3NK60ZT4, Транзистор N-MOSFET 600В 2.4А 45Вт [D-PAK] 100 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 2.4 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 3.6 Ом/1.2А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 45 Корпус: TO-252/DPAK	быстрый просмотр	100 шт.	120 руб. ×	от 15 шт. — 108 руб.
STP16NF06, Транзистор, STripFETT II, N-канал, 60В, 16А, 0.08Ом, [TO-220] 838 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 16 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.1 Ом/8a, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 45 Крутизна характеристики, S: 6.5 Корпус: to-220	быстрый просмотр	838 шт.	110 руб. ×	от 15 шт. — 102 руб.
STP20NM60FP, Транзистор, MDmesh, N-канал, 600В 20А, [TO-220FP] 594 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.29 Ом/10А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 45 Крутизна характеристики, S: 11 Корпус: TO-220FP	быстрый просмотр	594 шт.	410 руб. ×	от 15 шт. — 375 руб.
STP75NF75, Транзистор, STRIPFET II, N-канал, 75В, 0.0095Ом, 80А [TO-220AB] 404 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 75 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 80 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.011 Ом/40А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 45 Крутизна характеристики, S: 20 Корпус: to-220	быстрый просмотр	404 шт.	280 руб. ×	от 15 шт. — 244 руб.
TK10A60D(STA4.X.M), Транзистор, N-канальный, 600 В, 10 А, 45 Вт, [TO-220F] 107 шт. Бренд: Toshiba Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.75 Ом/5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 45 Крутизна характеристики, S: 6 Корпус: SC-67/2-10U1B	быстрый просмотр	107 шт.	250 руб. ×
TK12A60D(STA4,Q,M), Транзистор N-MOSFET 600В 12А [TO-220SIS] 159 шт. Бренд: Toshiba Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 12 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.55 Ом/6А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 45 Корпус: TO-220SIS	быстрый просмотр	159 шт.	220 руб. ×