Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs)

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)

_{58 из более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

AO4404, Транзистор N-MOSFET 30В 8.5А 2.2Вт [SOP-8] 2831 шт. Бренд: UMW Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 13 мОм/8А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.2 Крутизна характеристики, S: 50 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	2831 шт.	15 руб. ×	от 50 шт. — 13 руб.
AO4466, Транзистор N-MOSFET 30В 10А 3.1Вт [SOP-8] 4208 шт. Бренд: UMW Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 13 мОм/6.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 3.1 Крутизна характеристики, S: 17 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	4208 шт.	10 руб. ×	от 50 шт. — 9 руб.
AO4485, Транзистор P-MOSFET 40В 10А 1.7Вт [SOP-8] 1655 шт. Бренд: UMW Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 12.5 мОм/10А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.7 Крутизна характеристики, S: 25 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	1655 шт.	25 руб. ×	от 50 шт. — 22 руб.
AO4832, Транзистор N-MOSFET 30В 10А 2Вт [SOP-8] 2658 шт. Бренд: UMW Структура: 2N-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 10.8 мОм/10A, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 43 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	2658 шт.	17 руб. ×	от 50 шт. — 15 руб.
AO4884, Транзистор 2N-MOSFET 40В 10А 2Вт [SOP-8] 3770 шт. Бренд: UMW Структура: 2N-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 11 мОм/10A, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 50 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	3770 шт.	21 руб. ×	от 50 шт. — 19 руб.
FQD13N10LTM, Транзистор N-MOSFET 100В 10А 2.5Вт [DPAK] 2003 шт. Бренд: UMW Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 142 мОм/5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 8.7 Корпус: dpak	быстрый просмотр	2003 шт.	28 руб. ×	от 15 шт. — 26 руб.
IRF7416TR, Транзистор P-MOSFET 30В 10А 2.5Вт [SOP-8] 2499 шт. Бренд: UMW Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 20 мОм/5.6A, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 5.6 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	2499 шт.	55 руб. ×	от 100 шт. — 49 руб.
IRF7470TR, Транзистор N-MOSFET 40В 10А 2.5Вт [SOP-8] 2621 шт. Бренд: UMW Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 13 мОм/10А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 27 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	2621 шт.	36 руб. ×	от 50 шт. — 33 руб.
IRFR5505TR, Транзистор P-MOSFET 60В 10A 2Вт [DPAK / TO-252] 2497 шт. Бренд: UMW Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 80 мОм/8А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 15.4 Корпус: dpak	быстрый просмотр	2497 шт.	46 руб. ×	от 100 шт. — 42 руб.
2SK2761-01MR, Транзистор, N-канал [2-10R1B / TO-220FP] 239 шт. Бренд: Fuji Electric Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1 ом при4.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 50 Крутизна характеристики, S: 6 Корпус: TO-220F15	быстрый просмотр	239 шт.	220 руб. ×	от 15 шт. — 176 руб.
2SK2843(Q), Транзистор, N-канал [TO-220F] 51 шт. Бренд: Toshiba Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.75 Ом/5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 45 Корпус: SC-67/2-10R1B	быстрый просмотр	51 шт.	290 руб. ×
2SK3265, Транзистор, TT-MOSV, N-канал, 700В, 5А [SC-67 / 2-10R1B] 31 шт. Бренд: Toshiba Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 700 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1 ом при5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 45 Корпус: SC-67/2-10R1B	быстрый просмотр	31 шт.	140 руб. ×
2SK3569, Транзистор, TT-MOSVI, N-канал, 600В, 10А [SC-67 / 2-10U1B] 119 шт. Бренд: Toshiba Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.75 Ом/5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 45 Крутизна характеристики, S: 8.5 Корпус: SC-67/2-10U1B	быстрый просмотр	119 шт.	440 руб. ×
AP2761I-A, Транзистор, N-канал 650В 10А 1.0Ом [TO-220CFM(I)] 85 шт. Бренд: Advanced Power Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 650 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1 ом при5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 37 Крутизна характеристики, S: 4.8 Корпус: TO-220CFM(I)	быстрый просмотр	85 шт.	250 руб. ×	от 15 шт. — 216 руб.
IRF740APBF, Транзистор, N-канал 400В 10А [TO-220AB] Бренд: Vishay Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 400 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.55 Ом/6А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 125 Крутизна характеристики, S: 4.9 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		160 руб. ×	от 50 шт. — 140 руб.
IRF740ASTRLPBF, Транзистор, N-канал 400В 10А [D2-PAK] Бренд: Vishay Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 400 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.55 Ом/6А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 3.1 Крутизна характеристики, S: 5.8 Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр		270 руб. ×	от 15 шт. — 245 руб.
IRF740PBF, Транзистор, N-канал 400В 10А [TO-220AB] Бренд: Vishay Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 400 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.55 Ом/6А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 125 Крутизна характеристики, S: 8.9 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		190 руб. ×	от 15 шт. — 159 руб.
IRF740SPBF, Транзистор, N-канал 400В 10А [D2-PAK] Бренд: Vishay Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 400 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.55 Ом/6А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 3.1 Крутизна характеристики, S: 4.9 Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр		140 руб. ×	от 50 шт. — 135 руб.
IRF7416TRPBF, Транзистор P-CH 30V 10A [SOIC-8] Бренд: Infineon Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.02 Ом/5.6А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 5.6 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		78 руб. ×	от 50 шт. — 74 руб.
IRF7470TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 40В, 18А [SOIC-8] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 40 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.013 Ом/10А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 27 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		130 руб. ×	от 50 шт. — 107 руб.