Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs)

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)

_{32 из более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

AO4406A, Транзистор N-MOSFET 30В 12А [SOP-8] 2537 шт. Бренд: UMW Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 12 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.01 Ом/10А/10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 4.5 Крутизна характеристики, S: 5.8 Корпус: SOP-8	быстрый просмотр	2537 шт.	16 руб. ×	от 100 шт. — 15 руб.
AO4435, Транзистор P-MOSFET 30В 12А [SOP-8] 3184 шт. Бренд: UMW Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 12 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.015 Ом/7А/10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 16 Корпус: SOP-8	быстрый просмотр	3184 шт.	15 руб. ×	от 100 шт. — 14 руб.
AOD407, Транзистор P-MOSFET 60В 12A 50Вт [DPAK / TO-252] 2439 шт. Бренд: UMW Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 12 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 91 мОм/12А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 50 Крутизна характеристики, S: 12.8 Корпус: TO-252/DPAK	быстрый просмотр	2439 шт.	27 руб. ×	от 100 шт. — 24 руб.
FQD17P06TM, Транзистор P-MOSFET 60В 12A 2.5Вт [DPAK / TO-252] 2491 шт. Бренд: UMW Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 12 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 110 мОм/6А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 44 Крутизна характеристики, S: 8.7 Корпус: TO-252/DPAK	быстрый просмотр	2491 шт.	58 руб. ×	от 100 шт. — 53 руб.
2SK2842, Транзистор, N-канал [TO-220F] 296 шт. Бренд: Toshiba Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 12 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.52 Ом/6А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 40 Корпус: SC-67/2-10R1B	быстрый просмотр	296 шт.	190 руб. ×
AO4407AL, Транзистор P-MOSFET 30В 12A [SOIC-8] Бренд: Alpha & Omega Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 12 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.011 Ом/12А, 20В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 3.1 Крутизна характеристики, S: 21 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		130 руб. ×	от 25 шт. — 102 руб.
FDPF12N60NZ, Транзистор N-канал 600В 12А (=FQPF12N60C), [TO-220F] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 12 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.65 Ом/6А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 39 Крутизна характеристики, S: 13.5 Корпус: TO-220F	быстрый просмотр		330 руб. ×	от 15 шт. — 290 руб.
IRF9328TRPBF, Транзистор P-MOSFET 30В 12A [SOIC-8] Бренд: Infineon Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 12 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0119 Ом/12А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5 Крутизна характеристики, S: 20 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр		250 руб. ×	от 15 шт. — 217 руб.
IRF9530PBF, Транзистор, P-канал 100В 12А [TO-220AB] Бренд: Vishay Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 12 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.3 Ом/7.2А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 75 Крутизна характеристики, S: 3.8 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		180 руб. ×	от 15 шт. — 144 руб.
IRF9Z24NPBF, Транзистор, P-канал 55В 12А [TO-220AB] Бренд: Infineon Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 12 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.175 Ом/7.2А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 45 Крутизна характеристики, S: 2.5 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		53 руб. ×	от 10 шт. — 49 руб.
IRFH3707TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 12А [PQFN-3x3] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 12 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0124 Ом/12А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.8 Крутизна характеристики, S: 17 Корпус: PQFN-8(3X3)	быстрый просмотр		140 руб. ×	от 15 шт. — 122 руб.
IRFP9240PBF, Транзистор, P-канал 200В 12А [TO-247AC] Бренд: Vishay Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 12 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.5 Ом/7.2А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 150 Крутизна характеристики, S: 4.2 Корпус: TO-247AC	быстрый просмотр		330 руб. ×	от 15 шт. — 275 руб.
MS12N100FC, Транзистор N-MOSFET 1000В 12А 160Вт [TO-247] 311 шт. Бренд: MASPOWER Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 1200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 12 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.35 Ом/6А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 272 Крутизна характеристики, S: 9.5 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	311 шт.	200 руб. ×	от 10 шт. — 190 руб.
MS12N120HGC0, Транзистор N-MOSFET 1200В 12А 290Вт [TO-247] 175 шт. Бренд: MASPOWER Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 1200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 12 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 1.5 Ом/1А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 290 Крутизна характеристики, S: 9 Корпус: TO-247	быстрый просмотр	175 шт.	540 руб. ×	от 10 шт. — 486 руб.
STD12NF06LT4, Транзистор N-MOSFET 60В 12А 31.3Вт [D-PAK] 261 шт. Бренд: TECH PUBLIC Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 12 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.085 Ом/12А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 31.3 Крутизна характеристики, S: 25.3 Корпус: TO-252/DPAK	быстрый просмотр	261 шт.	60 руб. ×	от 15 шт. — 54 руб.
STP12NM50FP, Транзистор, MDmesh, N-канал, 500 В, 0.30 Ом, 12А [TO-220FP] 779 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 12 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.35 Ом/6А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 160 Корпус: TO-220FP	быстрый просмотр	779 шт.	440 руб. ×	от 15 шт. — 408 руб.
STP14NM50N, Mosfet MDmesh II, N-канал, 500 В, 0.28 Ом, 12 А, [TO-220] 89 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 12 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.32 Ом/6А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 90 Корпус: to-220	быстрый просмотр	89 шт.	220 руб. ×	от 15 шт. — 176 руб.
STP14NM50N, Транзистор N-MOSFET 500В 12А 90Вт [TO-220] 290 шт. Бренд: Inchange Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 12 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.32 Ом/6А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 90 Корпус: to-220	быстрый просмотр	290 шт.	220 руб. ×	от 15 шт. — 206 руб.
STP16N65M5, Транзистор, MDmesh V, N-канал, 650В, 12А, 0.230 Ом [TO-220] 207 шт. Бренд: ST Microelectronics Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 650 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 12 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.299 Ом/6А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 90 Корпус: to-220	быстрый просмотр	207 шт.	480 руб. ×	от 15 шт. — 434 руб.
TK12A60D(STA4,Q,M), Транзистор N-MOSFET 600В 12А [TO-220SIS] 162 шт. Бренд: Toshiba Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 12 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.55 Ом/6А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 45 Корпус: TO-220SIS	быстрый просмотр	162 шт.	220 руб. ×