Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs)

Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)

_{18 из более 1000}

Спецпредложения 2N MOSFET 2P MOSFET Infineon N MOSFET N+P MOSFET P MOSFET ST Microelectronics

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

AO3400A, Транзистор N-MOSFET 30В 5.8А [SOT-23-3] 21667 шт. Бренд: UMW Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 5.8 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.027 Ом/5.8А/10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 1.4 Крутизна характеристики, S: 15 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр	21667 шт.	6 руб. ×	от 100 шт. — 5 руб.
AO4826, Транзистор 2N-MOSFET 60В 6.3А 4Вт [SOP-8] 4376 шт. Бренд: UMW Структура: 2N-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.02 Ом/4.5A, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 4 Крутизна характеристики, S: 15 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	4376 шт.	23 руб. ×	от 50 шт. — 20 руб.
AO4840, Транзистор 2N-MOSFET 60В 7А 4Вт [SOP-8] 2859 шт. Бренд: UMW Структура: 2N-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 19 мОм/4.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 4 Крутизна характеристики, S: 15 Корпус: SOP-8/SOIC-8	быстрый просмотр	2859 шт.	30 руб. ×	от 100 шт. — 27 руб.
SI9945BDY, Транзистор 2N-MOSFET 60В 4.3А 1.7Вт [SOP-8] 3000 шт. Бренд: UMW Структура: 2N-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.3 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 25 мОм/4.3А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 15 Корпус: SOP-8/SOIC-8	быстрый просмотр	3000 шт.	32 руб. ×	от 100 шт. — 29 руб.
2SK117-GR, Транзистор, N-канал [TO-92] 303 шт. Бренд: Toshiba Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 50 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 0.01 Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.3 Крутизна характеристики, S: 15 Корпус: TO-92/SC-43/2-5F1D	быстрый просмотр	303 шт.	240 руб. ×
FDS4559, Транзистор N/P-MOSFET 60В 6А/5А [SOP-8] 1402 шт. Бренд: TECH PUBLIC Структура: N/P-каналы Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6/5 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.03 Ом/6А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2 Крутизна характеристики, S: 15 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	1402 шт.	40 руб. ×	от 100 шт. — 36 руб.
FQP13N50C, Транзистор N-CH 500V 13A [TO-220] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 13 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.48 Ом/6.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 195 Крутизна характеристики, S: 15 Корпус: to-220	быстрый просмотр		280 руб. ×	от 15 шт. — 239 руб.
FQPF13N50CF, Транзистор N-CH 500V 13A [TO-220F] Бренд: ON Semiconductor Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 13 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.48 Ом/6.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 48 Крутизна характеристики, S: 15 Корпус: TO-220F	быстрый просмотр		440 руб. ×	от 15 шт. — 390 руб.
IRF7341TRPBF-VB, Транзистор 2N-канала 60В 7А TrenchFET [SOIC-8] 5367 шт. Бренд: VBsemi Структура: 2N-канала Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 7 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.028 Ом/4.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 4 Крутизна характеристики, S: 15 Корпус: SOIC-8	быстрый просмотр	5367 шт.	82 руб. ×	от 50 шт. — 79 руб.
IRFZ44EPBF, Транзистор, N-канал 60В 48А [TO-220AB] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 48 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.023 Ом/29А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 110 Крутизна характеристики, S: 15 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		160 руб. ×	от 15 шт. — 127 руб.
IRFZ44NPBF, Транзистор, N-канал 55В 41А [TO-220AB] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 50 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0175 Ом/25А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 150 Крутизна характеристики, S: 15 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		130 руб. ×	от 15 шт. — 107 руб.
IRFZ44NSTRLPBF, Транзистор, N-канал 55В 49А [D2-PAK] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 50 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0175 Ом/25А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 150 Крутизна характеристики, S: 15 Корпус: D2PAK(2 Leads+Tab)	быстрый просмотр		130 руб. ×	от 15 шт. — 113 руб.
IRFZ44ZPBF, Транзистор Nкан 55В 51А [TO-220AB] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 50 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0139 Ом/31А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 150 Крутизна характеристики, S: 15 Корпус: TO-220AB	быстрый просмотр		130 руб. ×	от 15 шт. — 102 руб.
PMV65XP,215, Транзистор MOSFET P-CH 20V 3.9A 76 mOhm, [SOT-23-3] 4106 шт. Бренд: Nexperia Структура: P-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.9 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.074 Ом/2.8А, 4.5В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 0.48 Крутизна характеристики, S: 15 Корпус: SOT-23-3	быстрый просмотр	4106 шт.	22 руб. ×	от 100 шт. — 18 руб.
SPP17N80C3XKSA1, Транзистор, N-канал 800В 17А 0.29Ом [TO-220AB] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 800 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 17 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.29 Ом/11А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 208 Крутизна характеристики, S: 15 Корпус: PG-TO220	быстрый просмотр		790 руб. ×	от 15 шт. — 714 руб.
SPW17N80C3FKSA1, Транзистор, N-канал 800В 17А 290мОм [TO-247] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 800 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 17 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.29 Ом/11А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 208 Крутизна характеристики, S: 15 Корпус: PG-TO247	быстрый просмотр		1 500 руб. ×	от 15 шт. — 1 400 руб.
КП723А, Транзистор, N-канальный с изолированным затвором [TO-220] 224 шт. Бренд: Россия Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 60 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 50 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.028 Ом/31А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 150 Крутизна характеристики, S: 15 Корпус: kt-28	быстрый просмотр	224 шт.	390 руб. ×	от 30 шт. — 340 руб.
BUZ30AH3045AATMA1, Транзистор, SIPMOS, 200В, 21А, 0.13 Ом, [PG-TO-263-3] Бренд: Infineon Структура: N-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 200 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 21 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.13 Ом/13.5А, 10В Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 125 Крутизна характеристики, S: 15 Корпус: PG-TO263-3	быстрый просмотр		75 руб. ×	от 15 шт. — 68 руб.