Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)10 из более 1000

Спецпредложения
Сортировка: Рекомендуем Хиты продаж Дешевле Дороже
Производители
Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Наличие в магазинах
Москва
Санкт-Петербург
Белгород
Владимир
Волгоград
Вологда
Воронеж
Гомель
Екатеринбург
Ижевск
Казань
Калуга
Кемерово
Киров
Краснодар
Красноярск
Курск
Липецк
Минск
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Орёл
Пермь
Псков
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саранск
Саратов
Смоленск
Ставрополь
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Уфа
Чебоксары
Челябинск
Ярославль
Цена
Мин. цена руб.
Макс. цена руб.
 
 
IRFHM4234TRPBF, Транзистор HEXFET N-канал 25В 20А 4.4мОм, [PQFN-3.3x3.3]
50 шт.
Пр-во: IR
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 25
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0044 ом при 30a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 28
Крутизна характеристики, S: 60
Корпус: pqfn 3.3x3.3 mm
быстрый просмотр
50 шт.
52 руб. ×
от 5 шт. — 46 руб.
от 50 шт. — 45 руб.
IRFHM830TRPBF, Транзистор, N-канал 30В 21А [PQFN-3.3x3.3]
198 шт.
Пр-во: IR
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 21
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0038 ом при 20a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.7
Крутизна характеристики, S: 52
Корпус: pqfn 3.3x3.3 mm
быстрый просмотр
198 шт.
80 руб. ×
от 15 шт. — 72 руб.
от 150 шт. — 70 руб.
IRFHM831PBF, Транзистор, N-канал 30В 14А 7.8мОм [PQFN-3.3x3.3]
21 шт.
Пр-во: IR
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 14
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0078 ом при 12a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.5
Крутизна характеристики, S: 82
Корпус: pqfn 3.3x3.3 mm
быстрый просмотр
21 шт.
53 руб. ×
от 15 шт. — 43 руб.
от 150 шт. — 41 руб.
IRFHM8363TRPBF, Транзистор 2N-кан 30В 10A, [PQFN-3х3] (=IRFHM8363TR2PBF)
140 шт.
Пр-во: IR
Структура: 2n-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 10
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0149 ом при 10a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.7
Крутизна характеристики, S: 20
Корпус: pqfn 3.3x3.3 mm
быстрый просмотр
140 шт.
58 руб. ×
от 15 шт. — 54 руб.
от 150 шт. — 52 руб.
IRFHM9331TRPBF, Транзистор, P-канал -30В -11А [PQFN-3.3x3.3] (=IRFHM9331TR2PBF)
212 шт.
Пр-во: IR
Структура: p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: -30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: -11
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.01 ом при-11a, -20в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.8
Крутизна характеристики, S: 16
Корпус: pqfn 3.3x3.3 mm
быстрый просмотр
212 шт.
35 руб. ×
от 15 шт. — 27 руб.
от 150 шт. — 26 руб.
IRFHM8326TRPBF, Транзистор HEXFET N-канал 30В 19А 4.7мОм [PQFN-3.3x3.3]
214 шт.
Пр-во: Infineon
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 19
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0047 ом при 20a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.8
Крутизна характеристики, S: 70
Корпус: pqfn 3.3x3.3 mm
быстрый просмотр
214 шт.
97 руб. ×
от 15 шт. — 86 руб.
от 150 шт. — 83 руб.
IRFHM8329TRPBF, Транзистор HEXFET N-канал 30В 16А [PQFN 3.3X3.3 8L]
569 шт.
Пр-во: Infineon
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 16
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0061 ом при 20a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 33
Крутизна характеристики, S: 56
Корпус: pqfn 3.3x3.3 mm
быстрый просмотр
569 шт.
31 руб. ×
от 25 шт. — 23 руб.
от 250 шт. — 21 руб.
IRLHM620TRPBF, Транзистор, N-канал 20В 40А [PQFN-3.3x3.3]
645 шт.
Пр-во: Infineon
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 40
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0025 ом при 20a, 4.5в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 37
Крутизна характеристики, S: 58
Корпус: pqfn 3.3x3.3 mm
быстрый просмотр
645 шт.
60 руб. ×
от 15 шт. — 52 руб.
от 150 шт. — 50 руб.
IRFHM830DTRPBF, Транзистор, N-канал 30В 20А [PQFN-3.3x3.3]
3 дня, 60 шт.
Пр-во: IR
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0043 ом при 20a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 2.8
Крутизна характеристики, S: 69
Корпус: pqfn 3.3x3.3 mm
быстрый просмотр
3 дня,
60 шт.
110 руб. ×
от 42 шт. — 48 руб.
IRFHM4226TRPBF, Транзистор N-канал 25В 28А 2.2мОм [PQFN-3.3x3.3]
По запросу
Пр-во: IR
Структура: n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 25
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 28
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on): 0.0022 ом при 30a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 39
Крутизна характеристики, S: 136
Корпус: pqfn 3.3x3.3 mm
быстрый просмотр
По запросу
85 руб. ×