Сортировка:
РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: 3-фазный
Кол-во каналов: 6
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 11.5…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.5
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.2
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.35
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 125
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: PLCC-44, 32 Pins(16.58x16.58)
|
быстрый просмотр | 1 000 руб. × |
от 5 шт. — 969 руб.
|
|
Бренд: Infineon
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: Один
Кол-во каналов: 1
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.5
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5
Тип входа: неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 25
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 25
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOT-23-5
|
быстрый просмотр | 80 руб. × |
от 100 шт. — 72 руб.
|
|
Бренд: Infineon
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 6…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.5
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2.3
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 3.3
Тип входа: инвертирующий, неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 25
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 25
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр | 300 руб. × |
от 15 шт. — 279 руб.
|
|
Бренд: Infineon
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 6…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.5
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2.3
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 3.3
Тип входа: инвертирующий, неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 25
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 25
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр | 260 руб. × |
от 5 шт. — 206 руб.
|
|
111 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 17(Max)
Логическое напряжение (VIL), В: 1.5
Логическое напряжение (VIH), В: 3.6
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.4
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.65
Тип входа: инвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 50
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 30
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-14(0.154 inch)
|
быстрый просмотр | 111 шт. |
290 руб. × |
от 5 шт. — 273 руб.
|
1125 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 17(Max)
Логическое напряжение (VIL), В: 1.1
Логическое напряжение (VIH), В: 1.8
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.4
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.65
Тип входа: инвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 70
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 40
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр | 1125 шт. |
240 руб. × |
от 5 шт. — 220 руб.
|
50 шт.
Бренд: ST Microelectronics
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 12.5…20
Логическое напряжение (VIL), В: 1.1
Логическое напряжение (VIH), В: 1.9
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.29
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.43
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 75
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 35
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: soic-16(0.154 inch)
|
быстрый просмотр | 50 шт. |
440 руб. × |
от 5 шт. — 420 руб.
|
Бренд: ON Semiconductor
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 6.5…18
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.6
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5
Тип входа: инвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 31
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 32
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр | 330 руб. × |
от 5 шт. — 310 руб.
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 6.5…18
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.6
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5
Тип входа: инвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 31
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 32
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
|
быстрый просмотр | 240 руб. × |
от 5 шт. — 230 руб.
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 6.1…18
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.6
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5
Тип входа: неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 36
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 32
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр | 160 руб. × |
от 5 шт. — 116 руб.
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: Один
Кол-во каналов: 1
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 11…20
Логическое напряжение (VIL), В: 1.2
Логическое напряжение (VIH), В: 3.2
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2
Тип входа: инвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 17
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 17
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр | 370 руб. × |
от 5 шт. — 310 руб.
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: Один
Кол-во каналов: 1
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 11…20
Логическое напряжение (VIL), В: 1.2
Логическое напряжение (VIH), В: 3.2
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2
Тип входа: инвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 17
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 17
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
|
быстрый просмотр | 240 руб. × |
от 5 шт. — 211 руб.
|
|
Бренд: Microchip
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: Один
Кол-во каналов: 1
Тип управляемого затвора: IGBT, N/P-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 4.5…18
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.4
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5
Тип входа: неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 20
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 20
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOT-23-5
|
быстрый просмотр | 260 руб. × |
от 15 шт. — 215 руб.
|
|
Бренд: Microchip
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: Один
Кол-во каналов: 1
Тип управляемого затвора: N/P-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 4.5…18
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.4
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 6
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 6
Тип входа: неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 25
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 25
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр | 370 руб. × |
от 5 шт. — 347 руб.
|
|
Бренд: Microchip
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: Один
Кол-во каналов: 1
Тип управляемого затвора: N/P-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 4.5…18
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.4
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 6
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 6
Тип входа: неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 25
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 25
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
|
быстрый просмотр | 370 руб. × |
от 5 шт. — 282 руб.
|
|
Бренд: Microchip
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N/P-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 4.5…18
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.4
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5
Тип входа: инвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 25
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 25
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр | 270 руб. × |
от 10 шт. — 249 руб.
|
|
Бренд: Microchip
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N/P-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 4.5…18
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.4
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5
Тип входа: инвертирующий, неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 25
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 25
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр | 170 руб. × |
от 10 шт. — 151 руб.
|
|
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 3.3…20
Логическое напряжение (VIL), В: 6
Логическое напряжение (VIH), В: 9.5
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 500
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 25
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 17
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-16(0.295 inch)
|
быстрый просмотр | 450 руб. × |
от 5 шт. — 402 руб.
|
|
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…15.6
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.18
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.26
Тип входа: RC входная схема
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 80
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 45
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр | 290 руб. × |
от 5 шт. — 245 руб.
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 6.1…18
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.6
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5
Тип входа: неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 36
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 32
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр | 510 руб. × |
от 5 шт. — 479 руб.
|