Главная › Электронные компоненты › Микросхемы › Драйверы MOSFET и IGBT

Драйверы MOSFET и IGBT, стр.2

_{71 из более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

IR2109SPBF, Драйвер ключей нижнего и верхнего уровней, [SO-8] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: синхронный Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.9 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.2 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.35 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 150 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр	240 руб. ×	от 5 шт. — 234 руб.
IR2110PBF, Драйвер ключей нижнего и верхнего уровней, 500В, 2А, [DIP-14] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 3.3…20 Логическое напряжение (VIL), В: 6 Логическое напряжение (VIH), В: 9.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 500 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 25 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 17 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: DIP-14(0.300 inch)	быстрый просмотр	410 руб. ×	от 5 шт. — 351 руб.
IR2110STRPBF, Полумостовой драйвер HIGH/LOW SIDE [SOIC-16] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 3.3…20 Логическое напряжение (VIL), В: 6 Логическое напряжение (VIH), В: 9.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 500 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 25 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 17 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-16(0.295 inch)	быстрый просмотр	220 руб. ×	от 10 шт. — 198 руб.
IR2111PBF, Полумостовой драйвер, [DIP-8] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: синхронный Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 8.3 Логическое напряжение (VIH), В: 12.6 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.25 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.5 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 80 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 40 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: DIP-8(0.300 inch)	быстрый просмотр	320 руб. ×	от 5 шт. — 266 руб.
IR2111SPBF, Полумостовой драйвер, [SO-8] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: синхронный Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 8.3 Логическое напряжение (VIH), В: 12.6 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.25 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.5 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 80 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 40 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр	330 руб. ×	от 5 шт. — 319 руб.
IR2113PBF, Драйвер ключей нижнего и верхнего уровней, [DIP-14] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 3.3…20 Логическое напряжение (VIL), В: 6 Логическое напряжение (VIH), В: 9.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 25 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 17 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: DIP-14(0.300 inch)	быстрый просмотр	450 руб. ×	от 5 шт. — 425 руб.
IR2113SPBF, Драйвер ключей нижнего и верхнего уровней, [SO-16W] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 3.3…20 Логическое напряжение (VIL), В: 6 Логическое напряжение (VIH), В: 9.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 25 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 17 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-16(0.295 inch)	быстрый просмотр	330 руб. ×	от 5 шт. — 286 руб.
IR2130PBF, Трехфазный мостовой драйвер, [DIP-28] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: 3-фазный Кол-во каналов: 6 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.2 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.25 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.5 Тип входа: инвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 80 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 35 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: dip-28(0.600 inch)	быстрый просмотр	1 280 руб. ×	от 5 шт. — 1 240 руб.
IR2130SPBF, Трехфазный мостовой драйвер, [SO-28] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: 3-фазный Кол-во каналов: 6 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.2 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.25 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.5 Тип входа: инвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 80 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 35 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: dip-28(0.600 inch)	быстрый просмотр	1 280 руб. ×	от 5 шт. — 1 250 руб.
IR2132SPBF, Драйвер MOSFET/IGBT, инвертируюший вход, 6-OUT, High и Low-Side, 3-фазный мост [SOIC-28W] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: 3-фазный Кол-во каналов: 6 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.2 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.25 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.5 Тип входа: инвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 80 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 35 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: dip-28(0.600 inch)	быстрый просмотр	680 руб. ×	от 5 шт. — 660 руб.
IR2133JPBF, Драйвер MOSFET/IGBT, инвертируюший вход, 6-OUT, High и Low-Side, 3-фазный мост [PLCC-44, 32 pins] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: 3-фазный Кол-во каналов: 6 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.2 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.25 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.5 Тип входа: инвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 90 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 40 Рабочая температура, °C: -25…+125(TJ) Корпус: PLCC-44, 32 Pins(16.58x16.58)	быстрый просмотр	1 210 руб. ×	от 5 шт. — 1 170 руб.
IR2136PBF, Драйвер MOSFET/IGBT для 3-фазных приложений [DIP-28W] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: 3-фазный Кол-во каналов: 6 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 3 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.2 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.35 Тип входа: инвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 125 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: dip-28(0.600 inch)	быстрый просмотр	690 руб. ×	от 5 шт. — 636 руб.
IR2136SPBF, 3х фазный мостовой драйвер MOSFET/ IGBT, [SO-28] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: 3-фазный Кол-во каналов: 6 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 3 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.2 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.35 Тип входа: инвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 125 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: soic-28(0.295 inch)	быстрый просмотр	600 руб. ×	от 5 шт. — 552 руб.
IR21531PBF, Полумост с генератором 600В 200мА [DIP-8] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: синхронный Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…15.6 Тип входа: RC входная схема Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 80 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 45 Рабочая температура, °C: -40…+125(TJ) Корпус: DIP-8(0.300 inch)	быстрый просмотр	320 руб. ×	от 5 шт. — 266 руб.
IR2153DPBF, Самотактируемый полумостовой драйвер [DIP-8] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: синхронный Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…15.6 Тип входа: RC входная схема Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 80 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 45 Рабочая температура, °C: -40…+125(TJ) Корпус: DIP-8(0.300 inch)	быстрый просмотр	350 руб. ×	от 5 шт. — 342 руб.
IR2153PBF, Самотактируемый полумостовой драйвер, [DIP-8] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: синхронный Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…15.6 Тип входа: RC входная схема Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 80 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 45 Рабочая температура, °C: -40…+125(TJ) Корпус: DIP-8(0.300 inch)	быстрый просмотр	280 руб. ×	от 5 шт. — 233 руб.
IR2153SPBF, Самотактируемый полумостовой драйвер, [SO-8] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: синхронный Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…15.6 Тип входа: RC входная схема Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 80 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 45 Рабочая температура, °C: -40…+125(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр	210 руб. ×	от 5 шт. — 182 руб.
IR2155PBF, Самотактируемый полумостовой драйвер, [DIP-8] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: синхронный Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.25 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.5 Тип входа: RC входная схема Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 80 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 45 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: DIP-8(0.300 inch)	быстрый просмотр	410 руб. ×	от 5 шт. — 351 руб.
IR2181STRPBF, Полумостовой драйвер, [SO-8] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.7 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.9 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2.3 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 40 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 20 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр	530 руб. ×	от 15 шт. — 498 руб.
IR2183STRPBF, Полумостовой драйвер, [SO-8] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.7 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.9 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2.3 Тип входа: инвертирующий, неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 40 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 20 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр	570 руб. ×	от 5 шт. — 474 руб.