Главная › Электронные компоненты › Микросхемы › Драйверы MOSFET и IGBT

Драйверы MOSFET и IGBT, стр.3

_{72 из более 1000}

Сортировка: РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество

IRS21864STRPBF, Драйвер IGBT/MOSFET, 4А [SOIC-14-0.154] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 4 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 4 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 22 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 15 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-14(0.154 inch)	быстрый просмотр		610 руб. ×	от 5 шт. — 535 руб.
IRS21867STRPBF, Драйвер HIGH AND LOW SIDE [SO-8] Бренд: Infineon Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 4 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 4 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 22 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 18 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр		870 руб. ×	от 5 шт. — 808 руб.
IRS2186SPBF, Драйвер ключей нижнего и верхнего уровней, [SOIC-8] Бренд: Infineon Конфигурация: High-Side/Low-Side Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 10…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 4 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 4 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 22 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 18 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр		790 руб. ×	от 50 шт. — 735 руб.
IRS4427SPBF, Драйвер IGBT/MOSFET [SOIC-8] Бренд: Infineon Конфигурация: Low-Side Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 6…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2.3 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 3.3 Тип входа: инвертирующий, неинвертирующий Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 25 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 25 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр		300 руб. ×	от 15 шт. — 279 руб.
IRS4428SPBF, Драйвер 25В DUAL LOW SIDE [SO-8] Бренд: Infineon Конфигурация: Low-Side Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 6…20 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.5 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2.3 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 3.3 Тип входа: инвертирующий, неинвертирующий Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 25 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 25 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр		260 руб. ×	от 5 шт. — 206 руб.
IX4427NTR, Высокоскоростной драйвер MOSFET, пиковый выходной ток 1.5А [SOIC-8] Бренд: Ixys Конфигурация: Low-Side Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: N/P-CH MOSFET Напряжение питания, В: 4.5…30 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.4 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5 Тип входа: неинвертирующий Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 10 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 8 Рабочая температура, °C: -55…+150 (TJ) Корпус: soic-8 (0.154 inch)	быстрый просмотр		190 руб. ×	от 5 шт. — 165 руб.
L6386ED, Высоковольтный драйвер ключей нижнего и верхнего уровней, [SO-14] 153 шт. Бренд: ST Microelectronics Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 17(Max) Логическое напряжение (VIL), В: 1.5 Логическое напряжение (VIH), В: 3.6 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.4 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.65 Тип входа: инвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 50 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 30 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-14(0.154 inch)	быстрый просмотр	153 шт.	290 руб. ×	от 5 шт. — 273 руб.
L6388ED013TR, Драйвер MOSFET/IGBT, High/Low-side [SOIC-8] 369 шт. Бренд: ST Microelectronics Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 17(Max) Логическое напряжение (VIL), В: 1.1 Логическое напряжение (VIH), В: 1.8 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.4 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.65 Тип входа: инвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 70 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 40 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр	369 шт.	240 руб. ×	от 5 шт. — 220 руб.
L6390D, Драйвер MOSFET/IGBT, High/Low-side [SOIC-16] 694 шт. Бренд: ST Microelectronics Конфигурация: Half-Bridge Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 12.5…20 Логическое напряжение (VIL), В: 1.1 Логическое напряжение (VIH), В: 1.9 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.29 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.43 Тип входа: неинвертирующий Максимальное напряжение смещения, В: 600 Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 75 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 35 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: soic-16(0.154 inch)	быстрый просмотр	694 шт.	440 руб. ×	от 5 шт. — 420 руб.
MC33151DG, Высокоскоростной двухканальный драйвер MOSFET, [SOIC-8] Бренд: ON Semiconductor Конфигурация: Low-Side Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 6.5…18 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.6 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5 Тип входа: инвертирующий Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 31 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 32 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр		330 руб. ×	от 5 шт. — 310 руб.
MC33151PG, Драйвер MOSFET, Low-Side [DIP-8] Бренд: ON Semiconductor Конфигурация: Low-Side Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 6.5…18 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.6 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5 Тип входа: инвертирующий Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 31 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 32 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: DIP-8(0.300 inch)	быстрый просмотр		240 руб. ×	от 5 шт. — 230 руб.
MC33152DR2G, Драйвер MOSFET, Low-Side [SOIC-8] Бренд: ON Semiconductor Конфигурация: Low-Side Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 6.1…18 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.6 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5 Тип входа: неинвертирующий Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 36 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 32 Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр		160 руб. ×	от 5 шт. — 116 руб.
MC34151DR2G, Высокоскоростной двухканальный драйвер MOSFET, [SOIC-8] Бренд: ON Semiconductor Конфигурация: Low-Side Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 6.5…18 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.6 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5 Тип входа: инвертирующий Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 31 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 32 Рабочая температура, °C: 0…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр		180 руб. ×
MC34151PG, Высокоскоростной двухканальный драйвер MOSFET, [DIP-8] Бренд: ON Semiconductor Конфигурация: Low-Side Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 6.5…18 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.6 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5 Тип входа: инвертирующий Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 31 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 32 Рабочая температура, °C: 0…+150(TJ) Корпус: DIP-8(0.300 inch)	быстрый просмотр		200 руб. ×
MC34152DG, Драйвер MOSFET х 2, 18В, 1.5A, [SO-8] Бренд: ON Semiconductor Конфигурация: Low-Side Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 6.1…18 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.6 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5 Тип входа: неинвертирующий Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 36 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 32 Рабочая температура, °C: 0…+150(TJ) Корпус: SOIC-8(0.154 inch)	быстрый просмотр		170 руб. ×	от 10 шт. — 138 руб.
MC34152PG, Высокоскоростной двухканальный драйвер MOSFET, [PDIP-8] Бренд: ON Semiconductor Конфигурация: Low-Side Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: N-CH MOSFET Напряжение питания, В: 6.1…18 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.6 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1.5 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 1.5 Тип входа: неинвертирующий Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 36 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 32 Рабочая температура, °C: 0…+150(TJ) Корпус: DIP-8(0.300 inch)	быстрый просмотр		220 руб. ×	от 5 шт. — 199 руб.
SN75452BP, Сдвоенный периферийный драйвер, [DIP-8] Бренд: Texas Instruments Конфигурация: Low-Side Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: N/P-CH MOSFET Напряжение питания, В: 4.75…5.25 Логическое напряжение (VIL), В: 38 Логическое напряжение (VIH), В: 2 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.5 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.5 Тип входа: неинвертирующий Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 5 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 7 Рабочая температура, °C: 0…+70(TA) Корпус: DIP-8(0.300 inch)	быстрый просмотр		130 руб. ×	от 5 шт. — 107 руб.
SN75453BP, Двухканальный периферийный драйвер [DIP-8] Бренд: Texas Instruments Конфигурация: Low-Side Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: N/P-CH MOSFET Напряжение питания, В: 4.75…5.25 Логическое напряжение (VIL), В: 38 Логическое напряжение (VIH), В: 2 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.5 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.5 Тип входа: инвертирующий Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 5 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 7 Рабочая температура, °C: 0…+70(TA) Корпус: DIP-8(0.300 inch)	быстрый просмотр		130 руб. ×	от 10 шт. — 101 руб.
TC4424COE, Двойной высокоскоростной MOSFET драйвер, 3А [SOIC-16] Бренд: Microchip Конфигурация: Low-Side Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: N/P-CH MOSFET Напряжение питания, В: 4.5…18 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.4 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 3 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 3 Тип входа: неинвертирующий Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 23 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 25 Рабочая температура, °C: 0…+150(TJ) Корпус: SOIC-16(0.295 inch)	быстрый просмотр		400 руб. ×	от 5 шт. — 339 руб.
TC4424CPA, Двойной высокоскоростной MOSFET драйвер, 3А [DIP-8] Бренд: Microchip Конфигурация: Low-Side Тип канала: независимый Кол-во каналов: 2 Тип управляемого затвора: N/P-CH MOSFET Напряжение питания, В: 4.5…18 Логическое напряжение (VIL), В: 0.8 Логическое напряжение (VIH), В: 2.4 Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 3 Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 3 Тип входа: неинвертирующий Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 23 Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 25 Рабочая температура, °C: 0…+150(TJ) Корпус: DIP-8(0.300 inch)	быстрый просмотр		440 руб. ×	от 5 шт. — 389 руб.