Сортировка:
РекомендуемХиты продажДешевлеДорожеКоличество
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 3.3…20
Логическое напряжение (VIL), В: 6
Логическое напряжение (VIH), В: 9.5
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 500
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 25
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 17
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: DIP-14(0.300 inch)
|
быстрый просмотр | 410 руб. × |
от 5 шт. — 351 руб.
|
|
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 3.3…20
Логическое напряжение (VIL), В: 6
Логическое напряжение (VIH), В: 9.5
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 500
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 25
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 17
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-16(0.295 inch)
|
быстрый просмотр | 220 руб. × |
от 10 шт. — 198 руб.
|
|
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 3.3…20
Логическое напряжение (VIL), В: 6
Логическое напряжение (VIH), В: 9.5
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 25
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 17
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: DIP-14(0.300 inch)
|
быстрый просмотр | 450 руб. × |
от 5 шт. — 425 руб.
|
|
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 3.3…20
Логическое напряжение (VIL), В: 6
Логическое напряжение (VIH), В: 9.5
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 25
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 17
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-16(0.295 inch)
|
быстрый просмотр | 330 руб. × |
от 5 шт. — 286 руб.
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: Один
Кол-во каналов: 1
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 11…20
Логическое напряжение (VIL), В: 1.2
Логическое напряжение (VIH), В: 3.2
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2
Тип входа: инвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 17
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 17
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр | 370 руб. × |
от 5 шт. — 310 руб.
|
|
Бренд: ON Semiconductor
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: Один
Кол-во каналов: 1
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 11…20
Логическое напряжение (VIL), В: 1.2
Логическое напряжение (VIH), В: 3.2
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 1
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2
Тип входа: инвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 17
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 17
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: DIP-8(0.300 inch)
|
быстрый просмотр | 240 руб. × |
от 5 шт. — 211 руб.
|
|
Бренд: Texas Instruments
Конфигурация: Low-Side
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: N/P-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 4…14
Логическое напряжение (VIL), В: 1
Логическое напряжение (VIH), В: 4
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2
Тип входа: инвертирующий, неинвертирующий
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 14
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 15
Рабочая температура, °C: -40…+125(TA)
Корпус: SOIC-8(0.154 inch)
|
быстрый просмотр | 360 руб. × |
от 5 шт. — 328 руб.
|
|
Бренд: Infineon
Конфигурация: Half-Bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 3.3…20
Логическое напряжение (VIL), В: 6
Логическое напряжение (VIH), В: 9.5
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 2
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 2
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 500
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 25
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 17
Рабочая температура, °C: -40…+150(TJ)
Корпус: SOIC-16(0.295 inch)
|
быстрый просмотр | 450 руб. × |
от 5 шт. — 402 руб.
|