Сортировка: Рекомендуем Хиты продаж Дешевле Дороже
Производители
Конфигурация
Тип канала
Кол-во каналов
Тип управляемого затвора
Напряжение питания, В
Логическое напряжение (VIL), В
Логическое напряжение (VIH), В
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А
Пиковый выходной ток спада (Sink), А
Тип входа
Максимальное напряжение смещения, В
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс
Номинальное время затухания (Fall Time), нс
Рабочая температура, °C
Корпус
Наличие в магазинах
Москва
Санкт-Петербург
Архангельск
Барнаул
Белгород
Владимир
Волгоград
Вологда
Воронеж
Гомель
Екатеринбург
Иваново
Ижевск
Казань
Калуга
Кемерово
Киров
Кострома
Краснодар
Красноярск
Курск
Липецк
Минск
Набережные Челны
Нижний Новгород
Новосибирск
Омск
Орёл
Пермь
Псков
Ростов-на-Дону
Рязань
Самара
Саранск
Саратов
Смоленск
Ставрополь
Тверь
Томск
Тула
Тюмень
Уфа
Чебоксары
Челябинск
Ярославль
Цена
Мин. цена руб.
Макс. цена руб.
 
 
FAN7380MX, Драйвер MOSFET-IGBT, 2-канала, 600В, 018А [SO-8]
672 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.5
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.09
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.18
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 230
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 90
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: soic-8 (0.154 inch)
быстрый просмотр
672 шт.
78 руб. ×
от 5 шт. — 73 руб.
от 50 шт. — 71 руб.
FAN73832MX, Микросхема Half-Bridge Gate-Drive, 15В-20В, 650мА, задержка 180нс [SO-8]
133 шт.
Пр-во: Fairchild
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 15…20
Логическое напряжение (VIL), В: 1.2
Логическое напряжение (VIH), В: 2.9
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.35
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.65
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 50
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 30
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: soic-8 (0.154 inch)
быстрый просмотр
133 шт.
85 руб. ×
от 5 шт. — 80 руб.
от 50 шт. — 78 руб.
FAN7383MX, Драйвер MOSFET/IGBT, полумостовой [SOP-14]
242 шт.
Пр-во: ON Semiconductor
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 15…20
Логическое напряжение (VIL), В: 1.2
Логическое напряжение (VIH), В: 2.9
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.35
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.65
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 50
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 30
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: SOP-14 (0.209 inch)
быстрый просмотр
242 шт.
72 руб. ×
от 5 шт. — 68 руб.
от 50 шт. — 67 руб.
IR2101PBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней, [DIP-8]
1858 шт.
Пр-во: Infineon
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 3
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: DIP-8 (0.300 inch)
быстрый просмотр
1858 шт.
69 руб. ×
от 5 шт. — 65 руб.
от 50 шт. — 64 руб.
IR2101SPBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней, [SO-8]
1265 шт.
Пр-во: Infineon
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 3
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: soic-8 (0.154 inch)
быстрый просмотр
1265 шт.
66 руб. ×
от 5 шт. — 61 руб.
от 50 шт. — 59 руб.
IR2101STRPBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней [SOIC-8]
1329 шт.
Пр-во: Infineon
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 3
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: soic-8 (0.154 inch)
быстрый просмотр
1329 шт.
62 руб. ×
от 5 шт. — 58 руб.
от 50 шт. — 57 руб.
IR2102PBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней, [DIP-8]
150 шт.
Пр-во: Infineon
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 3
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36
Тип входа: инвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: DIP-8 (0.300 inch)
быстрый просмотр
150 шт.
74 руб. ×
от 5 шт. — 70 руб.
от 50 шт. — 69 руб.
IR2102SPBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней [SOIC-8]
364 шт.
Пр-во: Infineon
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 3
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36
Тип входа: инвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: soic-8 (0.154 inch)
быстрый просмотр
364 шт.
97 руб. ×
от 5 шт. — 93 руб.
от 50 шт. — 92 руб.
IR2103PBF, Полумостовой драйвер, [DIP-8]
373 шт.
Пр-во: Infineon
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 3
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36
Тип входа: Инвертирующий, Неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: DIP-8 (0.300 inch)
быстрый просмотр
373 шт.
97 руб. ×
от 5 шт. — 93 руб.
от 50 шт. — 92 руб.
IR2103STRPBF, Драйвер FET-IGBT, [SO-8]
133 шт.
Пр-во: Infineon
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 3
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36
Тип входа: Инвертирующий, Неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: soic-8 (0.154 inch)
быстрый просмотр
133 шт.
82 руб. ×
от 5 шт. — 78 руб.
от 50 шт. — 77 руб.
IR2104PBF, Полумостовой драйвер, [DIP-8]
1302 шт.
Пр-во: Infineon
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 3
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: DIP-8 (0.300 inch)
быстрый просмотр
1302 шт.
71 руб. ×
от 5 шт. — 65 руб.
от 50 шт. — 63 руб.
IR2104SPBF, Полумостовой драйвер, [SO-8]
1665 шт.
Пр-во: Infineon
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 3
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: soic-8 (0.154 inch)
быстрый просмотр
1665 шт.
69 руб. ×
от 5 шт. — 65 руб.
от 50 шт. — 64 руб.
IR2104STRPBF, Полумостовой драйвер HIGH/LOW SIDE [SOIC-8]
742 шт.
Пр-во: Infineon
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 3
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.21
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.36
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 100
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: soic-8 (0.154 inch)
быстрый просмотр
742 шт.
63 руб. ×
от 5 шт. — 58 руб.
от 50 шт. — 55 руб.
IR2106SPBF, Драйвер ключей верхнего и нижнего уровней, [SO-8]
163 шт.
Пр-во: Infineon
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.9
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.2
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.35
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 150
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: soic-8 (0.154 inch)
быстрый просмотр
163 шт.
120 руб. ×
от 5 шт. — 115 руб.
от 50 шт. — 114 руб.
IR21084SPBF, SMPS драйверы верхнего и нижнего ключей (600V, 0.12/0.25A) [SO-14]
142 шт.
Пр-во: Infineon
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.9
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.2
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.35
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 150
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: soic-14 (0.154 inch)
быстрый просмотр
142 шт.
150 руб. ×
от 5 шт. — 146 руб.
от 50 шт. — 145 руб.
IR2109PBF, Драйвер ключей нижнего и верхнего уровней [DIP-8]
132 шт.
Пр-во: Infineon
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.9
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.2
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.35
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 150
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: DIP-8 (0.300 inch)
быстрый просмотр
132 шт.
100 руб. ×
от 5 шт. — 98 руб.
от 50 шт. — 96 руб.
IR2109SPBF, Драйвер ключей нижнего и верхнего уровней, [SO-8]
302 шт.
Пр-во: Infineon
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 0.8
Логическое напряжение (VIH), В: 2.9
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.2
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.35
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 150
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 50
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: soic-8 (0.154 inch)
быстрый просмотр
302 шт.
98 руб. ×
от 5 шт. — 93 руб.
от 50 шт. — 91 руб.
IR2111PBF, Полумостовой драйвер, [DIP-8]
445 шт.
Пр-во: Infineon
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 8.3
Логическое напряжение (VIH), В: 12.6
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.25
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.5
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 80
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 40
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: DIP-8 (0.300 inch)
быстрый просмотр
445 шт.
88 руб. ×
от 5 шт. — 84 руб.
от 50 шт. — 83 руб.
IR2111SPBF, Полумостовой драйвер, [SO-8]
384 шт.
Пр-во: Infineon
Конфигурация: half-bridge
Тип канала: синхронный
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 8.3
Логическое напряжение (VIH), В: 12.6
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.25
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.5
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 80
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 40
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: soic-8 (0.154 inch)
быстрый просмотр
384 шт.
110 руб. ×
от 5 шт. — 103 руб.
от 50 шт. — 102 руб.
IR2112PBF, Драйвер ключей нижнего и верхнего уровней, [DIP-14]
183 шт.
Пр-во: Infineon
Конфигурация: High-Side/Low-Side
Тип канала: независимый
Кол-во каналов: 2
Тип управляемого затвора: IGBT, N-CH MOSFET
Напряжение питания, В: 10…20
Логическое напряжение (VIL), В: 6
Логическое напряжение (VIH), В: 9.5
Пиковый выходной ток нарастания (Source), А: 0.25
Пиковый выходной ток спада (Sink), А: 0.5
Тип входа: неинвертирующий
Максимальное напряжение смещения, В: 600
Номинальное время нарастания (Rise Time), нс: 80
Номинальное время затухания (Fall Time), нс: 40
Рабочая температура, °C: -40…+150 (TJ)
Корпус: dip-14 (0.300 inch)
быстрый просмотр
183 шт.
140 руб. ×
от 5 шт. — 128 руб.
от 50 шт. — 127 руб.
Страницы Ctrl ← предыдущая Ctrl → следующая
Товаров на странице
  • 20
  • 40
  • 60