Мой регион: Россия

2N7000BU, МОП-транзистор, N Канал, 200 мА, 60 В, 5 Ом, 10 В, 3.9 В

Ном. номер: 8872240394
PartNumber: 2N7000BU
Производитель: ON Semiconductor
2N7000BU, МОП-транзистор, N Канал, 200 мА, 60 В, 5 Ом, 10 В, 3.9 В
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
36 руб.
4180 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 10 шт. — 24 руб.
от 100 шт. — 11 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
10.40 руб. 3-4 недели, 9219 шт. 1 шт. 100 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

The 2N7000BU is an advanced small-signal N-channel enhancement-mode MOSFET produced using Fairchild's proprietary high cell density DMOS technology. It minimizes ON-state resistance while providing rugged, reliable and fast switching performance. It can be used in most applications requiring up to 400mA DC and can deliver pulsed currents up to 2A. It is particularly suited for low-voltage, low-current applications, such as power MOSFET gate drivers and other switching applications.

• Fast switching times
• Improved inductive ruggedness
• Lower input capacitance
• Extended safe operating area
• Improved high-temperature reliability

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
Количество Выводов
Стиль Корпуса Транзистора
Рассеиваемая Мощность
Полярность Транзистора
Напряжение Истока-стока Vds
Непрерывный Ток Стока
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
Напряжение Измерения Rds(on)
Пороговое Напряжение Vgs
Вес, г
0.179

Техническая документация

2N7000
pdf, 107 КБ

Дополнительная информация

Datasheet 2N7000BU

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.