2N7002, Транзистор, N-канал, 60В, 0.2А [SOT-23]

Артикул: 2N7002
Ном. номер: 9000096616
Производитель: Fairchild Semiconductor
Фото 1/4 2N7002, Транзистор, N-канал, 60В, 0.2А [SOT-23]
Фото 2/4 2N7002, Транзистор, N-канал, 60В, 0.2А [SOT-23]Фото 3/4 2N7002, Транзистор, N-канал, 60В, 0.2А [SOT-23]Фото 4/4 2N7002, Транзистор, N-канал, 60В, 0.2А [SOT-23]
Есть в наличии более 1000 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 1 рабочий день.
Возможна срочная доставка завтра
3 руб. × = 3 руб.
от 100 шт. — 2.50 руб.
от 1000 шт. — 2 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Enhancement Mode Field Effect Transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.

MOSFET Transistors, Fairchild Semiconductor
Fairchild offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
Fairchild MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
7500
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус

Техническая документация

2N7002 datasheet
pdf, 137 КБ

Дополнительная информация

Datasheet 2N7002
Datasheet 2N7002
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов