Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ON Semiconductor › FCPF099N65S3, Силовой МОП-транзистор ...

FCPF099N65S3, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 650 В, 30 А, 0.085 Ом, TO-220FP, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 160 руб.

Мин. кол-во для заказа 3 шт.

от 10 шт. — 990 руб.

от 100 шт. — 781 руб.

Добавить в корзину 3 шт. на сумму 3 480 руб.

Номенклатурный номер: 8002034867

Артикул: FCPF099N65S3

Бренд: ON Semiconductor***

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

SuperFET® III MOSFETs
onsemi SuperFET® III MOSFETs are high voltage Super-Junction (SJ) N-Channel MOSFETs designed to meet the high power density, system efficiency, and exceptional reliability requirements of telecom, server, electric vehicle (EV) charger and solar products. These devices combine best-in-class reliability, low EMI, excellent efficiency, and superior thermal performance to make them an ideal choice for high-performance applications. Complementing their performance characteristics, the broad range of package options offered by onsemi SuperFET III MOSFETs gives product designers high flexibility, particularly with size-constrained designs.

Технические параметры

Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.085Ом
Power Dissipation	43Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	SuperFET III
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Through Hole
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	650В
Непрерывный Ток Стока	30А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	4.5В
Рассеиваемая Мощность	43Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.085Ом
Стиль Корпуса Транзистора	TO-220FP
Brand:	onsemi/Fairchild
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	50
Fall Time:	5 ns
Forward Transconductance - Min:	19 S
Id - Continuous Drain Current:	30 A
Manufacturer:	onsemi
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	Through Hole
Number of Channels:	1 Channel
Package/Case:	TO-220-3
Packaging:	Tube
Pd - Power Dissipation:	43 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	57 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	85 mOhms
REACH - SVHC:	Details
Rise Time:	20 ns
Series:	FCPF099N65S3
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	58 ns
Typical Turn-On Delay Time:	22 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	650 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-30 V, +30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	2.5 V
Вес, г	2