FDC6318P, Trans MOSFET P-CH 12V 2.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
95 руб.
Кратность заказа 3000 шт.
от 6000 шт. —
85 руб.
Добавить в корзину 3000 шт.
на сумму 285 000 руб.
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Описание Транзистор P-MOSFET x2, полевой, -12В, -2,5А, 0,96Вт, SuperSOT-6 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Dual |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Fall Time: | 14 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 8 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 2.5 A |
| Manufacturer: | onsemi |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Package / Case: | SSOT-6 |
| Part # Aliases: | FDC6318P_NL |
| Pd - Power Dissipation: | 960 mW |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| Qg - Gate Charge: | 8 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 69 mOhms |
| Rise Time: | 14 ns |
| Series: | FDC6318P |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | PowerTrench |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Transistor Type: | 2 P-Channel |
| Type: | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 21 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 12 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.5 V |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 280 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
