FDD16AN08A0, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 75В, 50А, 135Вт, DPAK
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
410 руб.
от 10 шт. —
280 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 410 руб.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 75В, 50А, 135Вт, DPAK Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Fall Time: | 22 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 50 A |
| Manufacturer: | onsemi |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | DPAK-3 |
| Part # Aliases: | FDD16AN08A0_NL |
| Pd - Power Dissipation: | 135 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 31 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 16 mOhms |
| Rise Time: | 54 ns |
| Series: | FDD16AN08A0 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | PowerTrench |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 32 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 75 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Вес, г | 0.38 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 853 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
