FDD5N50NZTM, TO-252-3 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
290 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 290 руб.
Описание
МОП-транзистор UNIFET2 500V
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 4 A |
| Pd - рассеивание мощности | 62 W |
| Qg - заряд затвора | 12 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.5 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 22 ns |
| Время спада | 21 ns |
| Высота | 2.39 mm |
| Длина | 6.73 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 3.54 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Серия | FDD5N50NZ |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 28 ns |
| Типичное время задержки при включении | 12 ns |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Ширина | 6.22 mm |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 1.38Ом |
| Power Dissipation | 62Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | UniFET II |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 500В |
| Непрерывный Ток Стока | 4А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 5В |
| Рассеиваемая Мощность | 62Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 1.38Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Вес, г | 0.38 |
Техническая документация
Datasheet FDD5N50NZTM
pdf, 716 КБ
Datasheet FDD5N50NZTM
pdf, 714 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
