FDD8453LZ, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 40 В, 50 А, 0.0058 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
430 руб.
Мин. кол-во для заказа 7 шт.
от 10 шт. —
350 руб.
от 100 шт. —
278 руб.
Добавить в корзину 7 шт.
на сумму 3 010 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
МОП-транзистор 40V N-Channel PowerTrench
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.0058Ом |
| Power Dissipation | 65Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | PowerTrench |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 40В |
| Непрерывный Ток Стока | 50А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.8В |
| Рассеиваемая Мощность | 65Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0058Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Id - непрерывный ток утечки: | 16.4 A |
| Pd - рассеивание мощности: | 3.1 W |
| Qg - заряд затвора: | 64 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток: | 6.7 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток: | 40 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : | 1 V |
| Вид монтажа: | SMD/SMT |
| Время нарастания: | 6 ns |
| Время спада: | 5 ns |
| Высота: | 2.39 mm |
| Длина: | 6.73 mm |
| Канальный режим: | Enhancement |
| Категория продукта: | МОП-транзистор |
| Количество каналов: | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение: | PowerTrench |
| Конфигурация: | Single |
| Максимальная рабочая температура: | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура: | - 55 C |
| Подкатегория: | MOSFETs |
| Полярность транзистора: | N-Channel |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Размер фабричной упаковки: | 2500 |
| Серия: | FDD8453LZ |
| Технология: | Si |
| Тип продукта: | MOSFET |
| Тип транзистора: | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения: | 37 ns |
| Типичное время задержки при включении: | 11 ns |
| Торговая марка: | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок: | TO-252-3 |
| Ширина: | 6.22 mm |
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Continuous Drain Current | 16 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 6.7 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 65 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Pin Count | 3 |
| Series | PowerTrench |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 46 nC @ 10 V |
| Width | 6.22mm |
| Вес, г | 0.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 270 КБ
Datasheet FDD8453LZ
pdf, 489 КБ
Datasheet FDD8453LZ
pdf, 491 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
