FDG6301N, Транзистор N-MOSFET x2, полевой, 25В, 0,22А, 0,3Вт, SC70-6
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
57 руб.
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
36 руб.
от 150 шт. —
31 руб.
от 500 шт. —
26.20 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 285 руб.
Технические параметры
| Brand | ON Semiconductor/Fairchild |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Dual |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Fall Time | 4.5 ns |
| Forward Transconductance - Min | 0.2 S |
| Id - Continuous Drain Current | 220 mA |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number Of Channels | 2 Channel |
| Package / Case | SOT-323-6 |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Part # Aliases | FDG6301N_NL |
| Pd - Power Dissipation | 300 mW |
| Product | MOSFET Small Signal |
| Product Category | MOSFET |
| Product Type | MOSFET |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 4 Ohms |
| Rise Time | 4.5 ns |
| Series | FDG6301N |
| Subcategory | MOSFETs |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 2 N-Channel |
| Type | FET |
| Typical Turn-Off Delay Time | 4 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 5 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 25 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 8 V |
| Вес, г | 0.001 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 217 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
