FDMA86265P, Trans MOSFET P-CH Si 150V 1A 6-Pin WDFN EP T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
140 руб.
Кратность заказа 3000 шт.
от 6000 шт. —
130 руб.
Добавить в корзину 3000 шт.
на сумму 420 000 руб.
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Mid-Voltage P-Channel MOSFETsonsemi Mid-Voltage P-Channel MOSFETs are 100V and 150V P-Channel MOSFETs that offer the best in class R DS-ON and Q g in the industry. Each of these devices is produced using PowerTrench® technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and optimized for superior switching performance. onsemi Mid-Voltage P-Channel MOSFETs are ideal for high side switching on motor drives and lighting, active clamp in DC-DC, and load switching.
Технические параметры
| Channel Type | P Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.86Ом |
| Power Dissipation | 2.4Вт |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | PowerTrench |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 150В |
| Непрерывный Ток Стока | 1А |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3.2В |
| Рассеиваемая Мощность | 2.4Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.86Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | MicroFET |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Fall Time: | 6.4 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 1.9 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 1 A |
| Manufacturer: | onsemi |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | MicroFET-6 |
| Pd - Power Dissipation: | 2.4 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 2.8 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 860 mOhms |
| Rise Time: | 2.2 ns |
| Series: | FDMA86265P |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | PowerTrench |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 8 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5.8 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 150 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.2 V |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 780 КБ
Datasheet FDMA86265P
pdf, 410 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
