FDMC86340, Силовой МОП-транзистор, Shielded Gate, N Channel, 80 В, 48 А, 0.005 Ом, PQFN, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
560 руб.
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 10 шт. —
480 руб.
от 100 шт. —
387 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 2 800 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.005Ом |
Power Dissipation | 54Вт |
Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
Линейка Продукции | PowerTrench |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 80В |
Непрерывный Ток Стока | 48А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 3.4В |
Рассеиваемая Мощность | 54Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.005Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | PQFN |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Вес, г | 0.5 |
Техническая документация
Datasheet FDMC86340
pdf, 289 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов