FDMD85100, Двойной МОП-транзистор, N Channel, 100 В, 100 В, 48 А, 48 А, 0.0078 Ом

Фото 1/2 FDMD85100, Двойной МОП-транзистор, N Channel, 100 В, 100 В, 48 А, 48 А, 0.0078 Ом
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
650 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт.580 руб.
от 100 шт.498 руб.
Добавить в корзину 4 шт. на сумму 2 600 руб.
Номенклатурный номер: 8001749539
Артикул: FDMD85100

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Двойные МОП-транзисторы

Технические параметры

Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance N Channel 0.0078Ом
Drain Source On State Resistance P Channel 0.0078Ом
Power Dissipation N Channel 50Вт
Power Dissipation P Channel 50Вт
Количество Выводов 8вывод(-ов)
Линейка Продукции PowerTrench Series
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 100В
Напряжение Истока-стока Vds, N Канал 100В
Напряжение Истока-стока Vds, P Канал 100В
Непрерывный Ток Стока 48А
Непрерывный Ток Стока, N Канал 48А
Непрерывный Ток Стока, P Канал 48А
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs 3.1В
Рассеиваемая Мощность 50Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.0078Ом
Стиль Корпуса Транзистора PQFN
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Вес, г 0.5

Техническая документация

Datasheet FDMD85100
pdf, 779 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов