FDMQ8403, Двойной МОП-транзистор, Quad N Channel, 100 В, 100 В, 6 А, 6 А, 0.085 Ом
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
740 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт. —
630 руб.
от 100 шт. —
521 руб.
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 2 960 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Двойные МОП-транзисторы
РАСШИРЕНИЕ МОП-транзисторов Power Trench ON Semiconductor расширило линейку полевых МОП-транзисторов Power Trench, чтобы предложить различные напряжения сток-исток, ток стока и R DS (ON). Дополнительные функции в этом расширении полевых МОП-транзисторов ON Semiconductor Power Trench® включают усовершенствованный корпус и комбинацию кремния для низкого R DS (ON) и высокой эффективности, термически эффективные корпуса, а также усовершенствованную технологию корпусных диодов следующего поколения, разработанную для мягкого восстановления. Приложения для этих полевых МОП-транзисторов Power Trench® включают синхронные выпрямители для преобразователей постоянного / постоянного тока, переключатели низкого уровня для ноутбуков или сетевых устройств, выпрямители на вторичной стороне телекоммуникационных сетей, переключатели нагрузки и многое другое.
Подробнее
ON Semiconductor предлагает как N-канальные, так и P-канальные версии полевых МОП-транзисторов с использованием усовершенствованного процесса Power Trench, оптимизированного для переключения с низким R DS (ON) производительность и надежность.
Посмотреть весь ассортимент полевых МОП-транзисторов Power Trench®
Технические параметры
| Channel Type | Quad N Channel |
| Drain Source On State Resistance N Channel | 0.085Ом |
| Drain Source On State Resistance P Channel | 0.085Ом |
| Power Dissipation N Channel | 17Вт |
| Power Dissipation P Channel | 17Вт |
| Количество Выводов | 12вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | PowerTrench GreenBridge Series |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Напряжение Истока-стока Vds, N Канал | 100В |
| Напряжение Истока-стока Vds, P Канал | 100В |
| Непрерывный Ток Стока | 6А |
| Непрерывный Ток Стока, N Канал | 6А |
| Непрерывный Ток Стока, P Канал | 6А |
| Полярность Транзистора | Quad N Channel |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.8В |
| Рассеиваемая Мощность | 17Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.085Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | WDFN |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Quad |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Id - Continuous Drain Current: | 3.1 A |
| Manufacturer: | onsemi |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 4 Channel |
| Package / Case: | MLP-12 |
| Pd - Power Dissipation: | 1.9 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 5 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 110 mOhms |
| Series: | FDMQ8403 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | PowerTrench |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 4 N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Вес, г | 0.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 370 КБ
Datasheet FDMQ8403
pdf, 372 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
