FDMS1D2N03DSD, Двойной МОП-транзистор, N Channel, 30 В, 30 В, 164 А, 164 А, 730 мкОм
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
670 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт. —
570 руб.
от 100 шт. —
464 руб.
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 2 680 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Двойные МОП-транзисторы
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance N Channel | 730мкОм |
Drain Source On State Resistance P Channel | 730мкОм |
Power Dissipation N Channel | 42Вт |
Power Dissipation P Channel | 42Вт |
Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
Линейка Продукции | PowerTrench Series |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
Напряжение Истока-стока Vds, N Канал | 30В |
Напряжение Истока-стока Vds, P Канал | 30В |
Непрерывный Ток Стока | 164А |
Непрерывный Ток Стока, N Канал | 164А |
Непрерывный Ток Стока, P Канал | 164А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 1.5В |
Рассеиваемая Мощность | 42Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 730мкОм |
Стиль Корпуса Транзистора | PQFN |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Datasheet FDMS1D2N03DSD
pdf, 311 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов