FDMS1D2N03DSD, Двойной МОП-транзистор, N Channel, 30 В, 30 В, 164 А, 164 А, 730 мкОм

FDMS1D2N03DSD, Двойной МОП-транзистор, N Channel, 30 В, 30 В, 164 А, 164 А, 730 мкОм
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
670 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт.570 руб.
от 100 шт.464 руб.
Добавить в корзину 4 шт. на сумму 2 680 руб.
Номенклатурный номер: 8001873950
Артикул: FDMS1D2N03DSD

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Двойные МОП-транзисторы

Технические параметры

Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance N Channel 730мкОм
Drain Source On State Resistance P Channel 730мкОм
Power Dissipation N Channel 42Вт
Power Dissipation P Channel 42Вт
Количество Выводов 8вывод(-ов)
Линейка Продукции PowerTrench Series
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 30В
Напряжение Истока-стока Vds, N Канал 30В
Напряжение Истока-стока Vds, P Канал 30В
Непрерывный Ток Стока 164А
Непрерывный Ток Стока, N Канал 164А
Непрерывный Ток Стока, P Канал 164А
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs 1.5В
Рассеиваемая Мощность 42Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 730мкОм
Стиль Корпуса Транзистора PQFN
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Вес, г 0.4

Техническая документация

Datasheet FDMS1D2N03DSD
pdf, 311 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов