FDMT80060DC, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 60 В, 292 А, 870 мкОм, PQFN, Surface Mount

Фото 1/2 FDMT80060DC, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 60 В, 292 А, 870 мкОм, PQFN, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 990 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт.1 670 руб.
от 100 шт.1 360 руб.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 3 980 руб.
Номенклатурный номер: 8001631226
Артикул: FDMT80060DC

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Технические параметры

Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 870мкОм
Power Dissipation 156Вт
Количество Выводов 8вывод(-ов)
Линейка Продукции PowerTrench
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 60В
Непрерывный Ток Стока 292А
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs 3.5В
Рассеиваемая Мощность 156Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 870мкОм
Стиль Корпуса Транзистора PQFN
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Вес, г 0.5

Техническая документация

Datasheet FDMT80060DC
pdf, 510 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов