FDMT80060DC, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 60 В, 292 А, 870 мкОм, PQFN, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 990 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
1 670 руб.
от 100 шт. —
1 360 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 3 980 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 870мкОм |
Power Dissipation | 156Вт |
Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
Линейка Продукции | PowerTrench |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
Непрерывный Ток Стока | 292А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 3.5В |
Рассеиваемая Мощность | 156Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 870мкОм |
Стиль Корпуса Транзистора | PQFN |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Вес, г | 0.5 |
Техническая документация
Datasheet FDMT80060DC
pdf, 510 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов