Добавить к сравнению Сравнить ()

FDN335N, Транзистор MOSFET, N-канал, 20В, 1.7А, [SSOT-3]

Ном. номер: 9000393703
Артикул: FDN335N
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/3 FDN335N, Транзистор MOSFET, N-канал, 20В, 1.7А, [SSOT-3]
Фото 2/3 FDN335N, Транзистор MOSFET, N-канал, 20В, 1.7А, [SSOT-3]Фото 3/3 FDN335N, Транзистор MOSFET, N-канал, 20В, 1.7А, [SSOT-3]
35 руб.
2150 шт. со склада г.Москва,
срок 3-5 недель
от 25 шт. — 33.10 руб.
от 50 шт. — 32.20 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
27 руб. 4 дня, 5927 шт. 1 шт. 49 шт.
от 86 шт. — 10 руб.
от 171 шт. — 7 руб.
от 342 шт. — 6 руб.
22 руб. 3-4 недели, 2090 шт. 5 шт. 25 шт.
от 45 шт. — 16 руб.
45 руб. 8 дней, 10 шт. 10 шт. 10 шт.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
PowerTrench® N-Channel MOSFET, up to 9.9A, Fairchild Semiconductor

Технические параметры

Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
2.92mm
Transistor Configuration
Single
Brand
ON Semiconductor
Maximum Continuous Drain Current
1.7 A
Package Type
SOT-23
Maximum Power Dissipation
500 mW
Series
PowerTrench
Mounting Type
Surface Mount
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
1.4mm
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Height
0.94mm
Maximum Drain Source Resistance
70 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
3.5 nC @ 4.5 V
Transistor Material
Si
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Вес, г
0.02

Техническая документация

FDN335N
pdf, 206 КБ

Дополнительная информация

Datasheet FDN335N

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.